Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"S. Vulpe"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 136686-136693 (2019)
This paper is dedicated to the study of the tunable electromagnetic properties of HfO2 doped with Zr (further referred to as HfZrO) grown on high-resistivity silicon using atomic layer deposition (ALD) techniques. Two metallic coplanar lines patterne
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e2f0b420ec8c4d5db235b2fd55317ff6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Romanitan, I. Mihalache, S. Vulpe, M. Stoian, I. V. Tudose, K. Mouratis, O. Tutunaru, N. Djourelov, M. Suchea
Publikováno v:
2022 International Semiconductor Conference (CAS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a84d50527270bd4c01aa8474e654a1a
https://doi.org/10.1109/cas56377.2022.9934465
https://doi.org/10.1109/cas56377.2022.9934465
Autor:
Lucia Monica Veca, Cosmin Romanitan, Oana Tutunaru, F. Nastase, Iuliana Mihalache, S. Vulpe, Anca-Ionela Istrate
Publikováno v:
Coatings
Volume 11
Issue 9
Coatings, Vol 11, Iss 1023, p 1023 (2021)
Volume 11
Issue 9
Coatings, Vol 11, Iss 1023, p 1023 (2021)
We unveiled the effect of doping on the morpho-structural and opto/electrical properties of Ca-doped ZnO:Al thin films obtained by RF magnetron sputtering. Scanning electron microscopy (SEM) was performed to reveal the surface morphology, while the c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a492add6c26deb7fefc57bb8653a24af
Autor:
Antoniu Moldovan, Nicoleta G. Apostol, S. Vulpe, Sorina Iftimie, F. Nastase, Adrian Dinescu, Mircea Dragoman, Cosmin Romanitan
Publikováno v:
Applied Surface Science. 483:324-333
Ferroelectric capacitors based on aluminium (Al) doped hafnium oxide (HfO2) thin films grown on silicon substrates were fabricated by Atomic Layer Deposition (ALD), taking into account two methods. The first one involved the growth of a binary oxide,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4818894752169fb3ac6731f6d0dc6b33
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.166
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.03.166
Autor:
Sergiu Iordanescu, Dan Vasilache, S. Vulpe, Mircea Dragoman, Adrian Dinescu, Martino Aldrigo, F. Nastase
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 136686-136693 (2019)
This paper is dedicated to the study of the tunable electromagnetic properties of HfO2 doped with Zr (further referred to as HfZrO) grown on high-resistivity silicon using atomic layer deposition (ALD) techniques. Two metallic coplanar lines patterne
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::561e820d924144a58f1ce3007578cc8e
https://doi.org/10.1109/access.2019.2942430
https://doi.org/10.1109/access.2019.2942430
Autor:
Martino Aldrigo, Mircea Modreanu, Davide Mencarelli, Ian M. Povey, Pierluigi Stipa, A. Di Donato, Emiliano Laudadio, Luca Pierantoni, Mircea Dragoman, Sergiu Iordanescu, S. Vulpe, F. Nastase
Publikováno v:
2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS).
In this paper, a systematic approach is reported for the electrical properties investigation of an emerging new class of materials for microwave applications, namely zirconium-doped hafnium oxide (HfZrO) ferroelectrics. Starting from atomistic simula
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::720b7c542cbe9907c69029ef26d436bf
https://doi.org/10.1109/ims30576.2020.9224016
https://doi.org/10.1109/ims30576.2020.9224016
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.