Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"S. Viollet-Bosson"'
Autor:
G. Bourgeois, Alain Manissadjian, Gérard Destefanis, Jean-Paul Barnes, Laurent Rubaldo, S. Viollet-Bosson, A. Kerlain, Sylvain Gout, F. Milesi, O. Gravrand, N. Baier, L. Mollard, C. Lobre
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 43:802-807
This paper reports on recent developments made at the DEFIR joint laboratory on fabrication of planar p-on-n arsenic (As)-ion-implanted HgCdTe photodiodes. Our infrared focal-plane arrays (IRFPAs) cover a wide spectral range, from the short-wave infr
Autor:
M.T. Delaye, S. Viollet Bosson, S. Renard, F. Michel, G. Delapierre, H. Bono, P. Rey, Bernard Diem
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 46:8-16
Separation by ion implantation of oxygen (SIMOX), today an industrial 'silicon on insulator (SOI) substrate', allows a number of improvements for silicon sensors or actuators. For piezoresistive detection, the silicon top layer (0.2 μm thick) is use
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 23:1003-1006
A silicon pressure sensor using a new silicon-on-insulator ‘SIMOX’ technology has been developed. The fabricated devices exhibit a wide temperature range thanks to the theoretical 1/ T behaviour of the sensitivity up to 400 °C. The reason for th
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.