Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"S. Venkatensan"'
Autor:
A. Keshavarzi, C. Bajgar, T.B. Stellwag, S. M. Vernon, S.J. Wojtczuk, K. Emery, S.P. Tobin, Michael R. Melloch, S. Venkatensan, Mark Lundstrom
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 37:469-477
A critical assessment of the photovoltaic quality of epitaxial GaAs grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and by molecular-beam epitaxy (MBE) is reported. Epitaxial films of nominally identical structure were grown by the two techn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a986a90201d6f0e0e0127852b15cb755
https://doi.org/10.1109/16.46385
https://doi.org/10.1109/16.46385
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.