Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"S. Subhechha"'
Autor:
Z. Wu, A. Chasin, J. Franco, S. Subhechha, H. Dekkers, Y.V. Bhuvaneshwari, A. Belmonte, N. Rassoul, M.J. van Setten, V. Afanas'Ev, R. Delhougne, B. Kaczer, G.S. Kar
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3915403f150d6c5c04321b4809512bca
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019454
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019454
Device engineering guidelines for performance boost in IGZO front gated TFTs based on defect control
Autor:
S. Subhechha, N. Rassoul, A. Belmonte, H. Hody, H. Dekkers, M. J. van Setten, A. Chasin, S.H. Sharifi, K. Banerjee, H. Puliyalil, S. Kundu, M. Pak, D. Tsvetanova, N. Bazzazian, K. Vandersmissen, D. Batuk, J. Geypen, J. Heijlen, R. Delhougne, G. S. Kar
Publikováno v:
2022 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51f5d1a5fa12853fb235792ac034f93d
https://doi.org/10.1109/icicdt56182.2022.9933087
https://doi.org/10.1109/icicdt56182.2022.9933087
Autor:
L. Magnarin, M. Agati, A. Belmonte, S. Subhechha, N. Rassoul, C. Drijbooms, H. Dekkers, U. Celano
Publikováno v:
2022 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e89205850b697b36a06b710e3b3f2caf
https://doi.org/10.1109/ipfa55383.2022.9915759
https://doi.org/10.1109/ipfa55383.2022.9915759
Autor:
S. Subhechha, N. Rassoul, A. Belmonte, H. Hody, H. Dekkers, M. J. van Setten, A. Chasin, S.H. Sharifi, S. Sutar, L. Magnarin, U. Celano, H. Puliyalil, S. Kundu, M. Pak, L. Teugels, D. Tsvetanova, N. Bazzazian, K. Vandersmissen, C. Biasotto, D. Batuk, J. Geypen, J. Heijlen, R. Delhougne, G. S. Kar
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8dfafc52d9b69a3f5065f4a459005b8
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830448
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46769.2022.9830448
Autor:
A. Chasin, J. Franco, K. Triantopoulos, H. Dekkers, N. Rassoul, A. Belmonte, Q. Smets, S. Subhechha, D. Claes, M. J. van Setten, J. Mitard, R. Delhougne, V. Afanas'ev, B. Kaczer, G. S. Kar
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a2d3ae4b0a6eb6bc4242e387dd350cc
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720666
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720666
Autor:
A. Belmonte, H. Oh, S. Subhechha, N. Rassoul, H. Hody, H. Dekkers, R. Delhougne, L. Ricotti, K. Banerjee, A. Chasin, M. J. van Setten, H. Puliyalil, M. Pak, L. Teugels, D. Tsvetanova, K. Vandersmissen, S. Kundu, J. Heijlen, D. Batuk, J. Geypen, L. Goux, G. S. Kar
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3e4c53e74474b5d2daaa435c1ec9f604
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720596
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720596
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.