Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"S. Storkov"'
Autor:
R. Shaw, Ty McNutt, Kenny George, David Simco, Brandon Passmore, B. McGee, S. Storkov, Kraig Olejniczak, W. Austin Curbow, T. Flint
Publikováno v:
2017 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC).
Wide bandgap materials are having a transformational impact on the electrical, thermal, and mechanical performance of military, industrial, and commercial power electronic systems where silicon (Si) power semiconductors are the present material techn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0181b5914e285b62a6788902d8e6852c
https://doi.org/10.1109/apec.2017.7930776
https://doi.org/10.1109/apec.2017.7930776
Publikováno v:
Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT). 2014:000018-000021
A high temperature, 1200 V / 5 A SiC Schottky diode bridge rectifier packaged in a 4 pin TO-254 hermetically sealed package is presented. The package consists of high temperature (> 250 °C) assembly processes and materials, including the seals, base
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a903835fb01958bc9228ed7c61743b34
https://doi.org/10.4071/hitec-ta15
https://doi.org/10.4071/hitec-ta15
Autor:
B. McGee, S. Storkov, R. Shaw, G. Falling, Brandon Passmore, Kraig Olejniczak, W. Austin Curbow, J. Stabach, Peter Killeen, David Simco, T. Flint
Publikováno v:
2015 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE).
Over the past decade, wide bandgap power devices have demonstrated superior electrical and thermal characteristics over Si-based devices at not only the die level but also when integrated into systems. In this paper, a high current 650 V GaN-based po
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a0f0fdbf7ebe8971a1788f292a4781c
https://doi.org/10.1109/ecce.2015.7310298
https://doi.org/10.1109/ecce.2015.7310298
Autor:
Brandon Passmore, B. McGee, G. Falling, J. Stabach, R. Shaw, Z. Cole, S. Storkov, David C. Martin, B. Whitaker
Publikováno v:
2015 IEEE International Workshop on Integrated Power Packaging (IWIPP).
In high frequency power conversion applications, one of the dominant mechanisms attributed to power loss is the turn-on and -off transition times. To this end, low inductance silicon carbide (SiC)-based near-hermetic and hermetic full-bridge power mo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59adc2e3c0ca981bae3788583d12f6b5
https://doi.org/10.1109/iwipp.2015.7295993
https://doi.org/10.1109/iwipp.2015.7295993
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.