Zobrazeno 1 - 10
of 646
pro vyhledávání: '"S. S. Yan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xingchen Zhao, Guolei Liu, B. Jiang, Shishou Kang, Shuyun Yu, S. S. Yan, G.B. Han, Wei Zhao, Weiguo Zhang, R Chen
Publikováno v:
Nanoscale. 13:2665-2672
The interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction (i-DMI) has been exploited in as-made symmetrical Au/[Fe/Au]n structures. By tailoring the chirality of the i-DMI at the Au/Fe interface, an overall enhancement of the i-DMI can be obtained in such a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yue-lu Zhang, C. Feng, Y. Fan, Shishou Kang, G.B. Han, B. Jiang, Gui Yu, Shuyun Yu, Lei Wang, S. S. Yan, Weiguo Zhang, Guolei Liu
Publikováno v:
Physical Review Applied. 12
The Dzyaloshinskii-Moriya interaction (DMI) is a very interesting phenomenon for creating devices to exploit spin chirality, but enhancing DMI in artificial structures is still very challenging. This comprehensive investigation presents several possi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. S. Yan, Xiaonan Zhao, Yingcai Fan, Lihui Bai, Youyong Dai, Yanan Dong, Xuejie Xie, Yufeng Tian, X. Han, Yanxue Chen
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 118:152403
The realization of complete spin logic within a single nonvolatile memory cell is a promising approach toward next-generation low-power stateful logic circuits. In this work, we demonstrate that all 16 Boolean logic functions can be realized within a