Zobrazeno 1 - 10
of 183
pro vyhledávání: '"S. Roorda"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 23, Iss 10, p 103008 (2021)
Global quantum networks will benefit from the reliable fabrication and control of high-performance solid-state telecom photon-spin interfaces. T radiation damage centres in silicon provide a promising photon-spin interface due to their narrow O -band
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/999360a9d4b24e9a9b973ca502501aa2
Autor:
A. DeAbreu, C. Bowness, A. Alizadeh, C. Chartrand, N. A. Brunelle, E. R. MacQuarrie, N. R. Lee-Hone, M. Ruether, M. Kazemi, A. T. K. Kurkjian, S. Roorda, N. V. Abrosimov, H.-J. Pohl, M. L. W. Thewalt, D. B. Higginbottom, S. Simmons
Publikováno v:
Optics Express. 31:15045
The performance of modular, networked quantum technologies will be strongly dependent upon the quality of their quantum light-matter interconnects. Solid-state colour centres, and in particular T centres in silicon, offer competitive technological an
Publikováno v:
Journal of Vascular and Interventional Radiology. 34:S175
Autor:
A.W. Lussier, É. Lalande, M. Chicoine, C. Lévesque, S. Roorda, B. Baloukas, L. Martinu, G. Vajente, A. Ananyeva, F. Schiettekatte
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 2326:012020
Sensitivity in instruments such as the Laser Interferometer Gravitational-Wave Observatory (LIGO) is limited by a noise originating from fluctuations linked to internal mechanical dissipation (IMD) in the amorphous thin films of their Bragg reflector
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Evan MacQuarrie, Daniel B. Higginbottom, S. Roorda, Stephanie Simmons, C. Chartrand, V. A. Karasyuk, K. J. Morse
Publikováno v:
New Journal of Physics. 23:103008
Global quantum networks will benefit from the reliable fabrication and control of high-performance solid-state telecom photon-spin interfaces. T radiation damage centres in silicon provide a promising photon-spin interface due to their narrow O-band
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Y. Lavigueur, S. Roorda
Publikováno v:
Philosophical Magazine. 90:3787-3794
A piece of amorphous silicon made by self-ion implantation was structurally relaxed by thermal annealing at 650°C; subsequently, half of the sample was re-implanted to bring it back to a non-relaxed state. The sample was next submitted to a series o