Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"S. Rocheman"'
Autor:
N. Buard, S. Rocheman, C. Weulersse, Jean-Roch Vaillé, Frédéric Wrobel, Frédéric Saigné, T. Carriere
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 55 (6), pp.3146-3150. ⟨10.1109/TNS.2008.2006264⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 55 (6), pp.3146-3150. ⟨10.1109/TNS.2008.2006264⟩
Simulation of energy deposition in silicon by nuclear reactions is a crucial point for single event prediction tool development. In order to compare with the simulation of nuclear reactions, a silicon diode is irradiated by a 30 MeV and 63 MeV neutro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0448bc83a8b4341fb08cd639a116c345
https://doi.org/10.1109/tns.2008.2006264
https://doi.org/10.1109/tns.2008.2006264
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.