Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"S. Rennesson"'
Autor:
J. Mehta, I. Abid, J. Bassaler, J. Pernot, P. Ferrandis, M. Nemoz, Y. Cordier, S. Rennesson, S. Tamariz, F. Semond, F. Medjdoub
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 3, Iss , Pp 100114- (2023)
The rapidly increasing power demand, downsizing of power electronics and material specific limitation of silicon has led to development of AlGaN/GaN heterostructures. Commercial GaN power devices are best available for radio frequency (RF) and high v
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9e24a36c7da24acd820dbbc7ad439ee9
Autor:
P. Vennéguès, L. Largeau, V. Brändli, B. Damilano, K. Tavernier, R. Bernard, A. Courville, S. Rennesson, F. Semond, G. Feuillet, C. Cornet
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (16), pp.165102. ⟨10.1063/5.0111558⟩
Journal of Applied Physics, 2022, 132 (16), pp.165102. ⟨10.1063/5.0111558⟩
International audience; In the first part of this paper, we present a model that explains and determines quantitatively the twists between nucleation islands in the case of a Volmer–Weber heteroepitaxial growth of tetrahedrally coordinated semicond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ee522b2db0e1ba69e624e8ca6f72f04e
https://hal.science/hal-03966716
https://hal.science/hal-03966716
Autor:
J. Mehta, I. Abid, J. Bassaler, J. Pernot, P. Ferrandis, S. Rennesson, T. H. Ngo, M. Nemoz, S. Tamariz, Y. Cordier, F. Semond, F. Medjdoub
Publikováno v:
Towards high buffer breakdown field and high temperature stabilityAlGaN channel HEMTs on silicon substrate 2022
Compound Semiconductor Week, CSW 2022
Compound Semiconductor Week, CSW 2022, Jun 2022, Ann Arbor, MI, United States. 2 p
Compound Semiconductor Week, CSW 2022
Compound Semiconductor Week, CSW 2022, Jun 2022, Ann Arbor, MI, United States. 2 p
International audience; The rapidly increasing power demand, downsizing of power electronics and material specific performance limitation of silicon has led to the development of AlGaN/GaN heterostructures for high power applications. In this frame,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::80065ea62f331c7df5c2a29457d3acce
https://hal.science/hal-03828829
https://hal.science/hal-03828829
Autor:
H. Souissi, M. Gromovyi, T. Gueye, C. Brimont, L. Doyennette, D.D Solnyshkov, G. Malpuech, E. Cambril, S. Bouchoule, B. Alloing, S. Rennesson, F. Semond, J. Zúñiga-Pérez, T. Guillet
Publikováno v:
Physical Review Applied
Physical Review Applied, 2022, 18 (4), pp.044029. ⟨10.1103/PhysRevApplied.18.044029⟩
Physical Review Applied, 2022, 18 (4), pp.044029. ⟨10.1103/PhysRevApplied.18.044029⟩
We experimentally demonstrate the difference between a ridge polariton laser and a conventional edge-emitting ridge laser operating under electron-hole population inversion. The horizontal laser cavities are 20-60µm long GaN etched ridge structures
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4f03d3b1cb5c50c368cd1871607c17f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.