Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"S. Reboh"'
Autor:
N. Zerhouni Abdou, P. Acosta Alba, L. Brunet, F. Milesi, M. Opprecht, M. Gallard, S. Reboh, I. Ionica
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 384-389 (2024)
The EZ-FET is a device with simplified architecture and processing that enables fast electrical characterization of semiconductor films on insulators (SOI) with only two lithography levels and using regular process steps. For low temperature SOI subs
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8cbe6435aace43639f140b3c99280018
Publikováno v:
APL Materials, Vol 1, Iss 4, Pp 042117-042117 (2013)
To understand the behavior of silicon nitride capping etch stopping layer stressors in nanoscale microelectronics devices, a simplified structure mimicking typical transistor geometries was studied. Elastic strains in the silicon substrate were mappe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/60bf47932d924a5e9518fb4fb41e441f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Vandooren, N. Parihar, J. Franco, R. Loo, H. Arimura, R. Rodriguez, F. Sebaai, S. Iacovo, K. Vandersmissen, W. Li, G. Mannaert, D. Radisic, E. Rosseel, A. Hikavyy, A. Jourdain, O. Mourey, G. Gaudin, S. Reboh, L. Le Van-Jodin, G. Besnard, C. Roda Neve, B-Y. Nguyen, I. Radu, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Autor:
P. Batude, O. Billoint, S. Thuries, P. Malinge, C. Fenouillet-Beranger, A. Peizerat, G. Sicard, P. Vivet, S. Reboh, C. Cavalcante, L. Brunet, M. Ribotta, L. Brevard, X. Garros, T. Mota Frutuoso, B. Sklenard, J. Lacord, J. Kanyandekwe, S. Kerdiles, P. Sideris, C. Theodorou, V. Lapras, M. Mouhdach, G. Gaudin, G. Besnard, I. Radu, F. Ponthenier, A. Farcy, E. Jesse, F. Guyader, T. Matheret, P. Brunet, F. Milesi, L. Le Van-Jodin, A. Sarrazin, B. Perrin, C. Moulin, S. Maitrejean, M. Alepidis, I. Ionica, S. Cristoloveanu, F. Gaillard, M. Vinet, F. Andrieu, J. Arcamone, E. Ollier
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.