Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"S. Rao Patri"'
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 27, Iss 2, Pp 519-531 (2018)
A fourth-order, three-stage, feedforward cascade sigma-delta modulator (ƩΔM) for CMOS image sensor applications is realized in low leakage, high threshold voltage 65 nm CMOS standard process. A top down CAD methodology is used for the design of bui
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7f1095ee17794968b5d6635f03f43857
Publikováno v:
Radioengineering. 2018 vol. 27, č. 2, s. 519-531. ISSN 1210-2512
A fourth-order, three-stage, feedforward cascade sigma-delta modulator (ƩΔM) for CMOS image sensor applications is realized in low leakage, high threshold voltage 65 nm CMOS standard process. A top down CAD methodology is used for the design of bui
Autor:
S. Rao Patri, K. S. R. Krishna Prasad
Publikováno v:
TENCON 2008 - 2008 IEEE Region 10 Conference.
This paper presents a modified single Miller capacitor feed forward compensation design for regulators resulting in a linear LDO (low dropout) regulator whose performance is independent of the off-chip capacitor and its ESR (equivalent series resisto
Autor:
S. Rao Patri
Publikováno v:
International Journal of Gynecology & Obstetrics. 107:S316-S317
Autor:
S. Rao Patri
Publikováno v:
International Journal of Gynecology & Obstetrics. 107:S469-S469
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.