Knihovna AV ČR, v. v. i.
  • Odhlásit
  • Přihlášení
  • Jazyk
    • English
    • Čeština
  • Instituce
    • Knihovna AV ČR
    • Souborný katalog AV ČR
    • Archeologický ústav Brno
    • Archeologický ústav Praha
    • Astronomický ústav
    • Biofyzikální ústav
    • Botanický ústav
    • Etnologický ústav
    • Filosofický ústav
    • Fyzikální ústav
    • Fyziologický ústav
    • Geofyzikální ústav
    • Geologický ústav
    • Historický ústav
    • Masarykův ústav
    • Matematický ústav
    • Orientální ústav
    • Psychologický ústav
    • Slovanský ústav
    • Sociologický ústav
    • Ústav analytické chemie
    • Ústav anorganické chemie
    • Ústav pro českou literaturu
    • Ústav dějin umění
    • Ústav fyziky atmosféry
    • Ústav fotoniky a elektroniky
    • Ústav fyzikální chemie J. H.
    • Ústav fyziky materiálů
    • Ústav geoniky
    • Ústav pro hydrodynamiku
    • Ústav chemických procesů
    • Ústav informatiky
    • Ústav pro jazyk český
    • Ústav jaderné fyziky
    • Ústav makromolekulární chemie
    • Ústav pro soudobé dějiny
    • Ústav přístrojové techniky
    • Ústav státu a práva
    • Ústav struktury a mechaniky hornin
    • Ústav teoretické a aplikované mechaniky
    • Ústav teorie informace a automatizace
    • Ústav výzkumu globální změny
Pokročilé vyhledávání
  • Domovská stránka
  • Vyhledávání: "S. R. Lavoric"
  • Navrhnout nákup titulu
Zobrazeno 1 - 4 of 4 pro vyhledávání: '"S. R. Lavoric"'
1
Thickness dependence of disorder in pseudomorphic modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructures
Autor: H. Kissel, Vas. P. Kunets, Georgiy G. Tarasov, S. R. Lavoric, C. Walther, Yu. I. Mazur, Z. Ya. Zhuchenko, William Ted Masselink, M. Ya. Valakh, Uwe Müller
Publikováno v: Semiconductor Science and Technology. 15:1035-1038
The dependence of disorder on InyGa1-yAs thickness in pseudomorphic strained-layer AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructures is studied by means of photoluminescence (PL) and Raman scattering. PL and Raman data indicate that, for both y = 0.10 and
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5f0b40080876caa44e5893544b386ee3
https://doi.org/10.1088/0268-1242/15/11/304
Zobrazit plný text záznamu
2
Far-infrared reflectivity study of lattice dynamics of narrow-gap HgCdMnTe semiconductors
Autor: Georgiy G. Tarasov, J. W. Tomm, S. R. Lavoric, Yu. I. Mazur, M. P. Lisitsa, Alexander P. Litvinchuk, A. Rakitin
Publikováno v: Semiconductor Science and Technology. 14:187-197
We report the results of a comprehensive study of lattice dynamics by means of far-infrared phonon spectroscopy in quaternary semimagnetic narrow-gap single crystals. A new version of the isodisplacement model is developed which takes into account th
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0981b6903e67f543fd31dd2fafdd00d7
https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/2/014
Zobrazit plný text záznamu
3
FIR phonon spectroscopy of quaternary Hg1−x−yCdxMnyTe
Autor: S. R. Lavoric, J. W. Tomm, Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov
Publikováno v: Journal of Crystal Growth. :1214-1218
Phonon spectra of quaternary Hg 1− x − y Cd x Mn y Te ( x = 0−0.34, y = 0−0.14) single crystals are investigated by means of FIR reflection in the spectral range 30–400 cm −1 and temperature range 5–300 K. It has been concluded that man
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5565ff4bba9a7e948bf33e1d495fc614
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)80254-6
Zobrazit plný text záznamu
4
Magnetopolaron effect in diluted semimagnetic semiconductors
Autor: Georgiy G. Tarasov, W. Hoerstel, Yuri I. Mazur, Jens Wolfgang Tomm, S. R. Lavoric, Andrey S. Rakitin
Publikováno v: SPIE Proceedings.
Phonon-assisted self-trapping of free carrier is considered in diluted semimagnetics. It is shown that the binding energy of free magnetic polaron can be substantially larger when the 'spin-phonon' coupling is taken into account. For the particular c
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f9e4fd0369f68cac2493c26b6520e7b
https://doi.org/10.1117/12.280445
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

  • RSS
  • Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje
Pouze tištěné dokumenty
Zahrnout EIZ
  • 3 chemistry
  • 3 materials chemistry
  • 2 business
  • 2 business.industry
  • 2 condensed matter::materials science
  • 2 crystal structure
  • 2 doping
  • 2 electrical and electronic engineering
  • 2 electronic, optical and magnetic materials
  • 2 infrared spectroscopy
  • 2 quantum well
  • 2 semiconductor
  • 2 spectroscopy
  • 1 analytical chemistry
  • 1 atmospheric temperature range
  • 1 binding energy
  • 1 condensed matter::quantum gases
  • 1 condensed matter::strongly correlated electrons
  • 1 far infrared
  • 1 heterojunction
  • 1 inorganic chemistry
  • 1 magnetic field
  • 1 magnetic semiconductor
  • 1 magnetism
  • 1 materials science
  • 1 optics
  • 1 photoluminescence
  • 1 polaron
  • 1 quaternary compound
  • 1 raman scattering
  • 1 raman spectroscopy
  • 1 range (particle radiation)
  • 1 reflection (mathematics)
  • 1 symbols
  • 1 symbols.namesake
  • 1 ternary operation
  • 1 x-ray absorption spectroscopy
  • 2 iop publishing
  • 1 elsevier bv
  • 1 spie
  • 2 semiconductor science and technology
  • 1 journal of crystal growth
  • 1 spie proceedings
  • 4 OpenAIRE

Možnosti vyhledávání

  • Tematická mapa
  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Abecední procházení

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
načítá se......