Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"S. Piri Pishekloo"'
Autor:
H Khani, S. Piri Pishekloo
Publikováno v:
Nanoscale. 12:22281-22288
The interplay between various internal degrees of freedom of electrons is of fundamental importance for designing high performance electronic devices. A particular instance of this interplay can be observed in bilayer TMDs due to the combined effect
Publikováno v:
Applied Surface Science. 487:801-806
The recently predicted penta-RuS4 monolayer with high stability, large nontrivial band gap and robustness against oxidation is promising for applications in nanoelectronics. The band structure of this material exhibits unique characteristics under th
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 43:182-186
A composition of CdS nanoparticles and nanowires were deposited on TiO2 nanorods by successive ionic layer adsorption and reaction method grown on Ti substrate. CdS/TiO2/Ti device were used as photoanode in solar cell. Efficiency, short circuit curre
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter. 31:305304
Although the existence of four valley degrees of freedom in the (0 0 1) surface of IV-VI semiconductor topological crystalline insulators (TCIs) provides the opportunity to multiply the valleytronic functionality, it makes the generation of highly po
Autor:
S. Piri Pishekloo, Reza Sabet Dariani
Publikováno v:
Applied Physics A. 122
Identifying the growth factors of nanowires helps in controlling their structure and morphology and determining their optimal growth conditions. This study investigates the effect of titanium substrate in growing TiO2 nanowires (NWs) with evaporation
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter; 7/31/2019, Vol. 31 Issue 30, p1-1, 1p