Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"S. Pinkett"'
Autor:
Jeffrey B. Johnson, S. Furkay, Andreas Kerber, Haojun Zhang, N. Rao Mavilla, P. Paliwoda, Prashanth Paramahans Manik, Cathryn Christiansen, E. Maciejewski, Y. Deng, E. Cruz Silva, Shreesh Narasimha, S. Pinkett, Z. Chbili, Mohit Bajaj, Dhruv Singh, C-H. Lin, Oscar D. Restrepo, Srikanth Samavedam
Publikováno v:
IRPS
We present a hierarchical methodology using a combination of ab-initio phonon scattering, electron transmission, and multi-scale finite element simulations to accurately model process specific material physics and component level self-heating in FinF
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 56:364-371
This paper presents Schottky barrier diode circuits fully integrated in a 0.13- mum SiGe BiCMOS process technology. A subharmonically pumped upconverter and a frequency doubler are demonstrated that operate beyond 100 GHz without the need of external
Publikováno v:
IEEE/CPMT/SEMI 28th International Electronics Manufacturing Technology Symposium, 2003. IEMT 2003..
Since microelectronics fabrication processes require numerous steps, cost and yield are critical concerns. In-situ monitoring is vital for process control. However, this goal is restricted by the shortage of available sensors capable of performing in
Publikováno v:
Proceedings of the 2002 IEEE International Frequency Control Symposium and PDA Exhibition (Cat. No.02CH37234).
In recent years, a considerable amount of research has been conducted on thin film bulk acoustic wave (BAW) resonators in the area of RF microelectronics. They are attractive to the field because of their relatively small size and potential for fabri
Publikováno v:
IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. 49(11)
Thin film bulk acoustic wave (BAW) resonators have been the subject of research in RF microelectronics for some time. Much of the interest lay in utilizing the resonators to design filters for wireless applications. Some of the major advantages BAW d
Publikováno v:
2001 IEEE Ultrasonics Symposium. Proceedings. An International Symposium (Cat. No.01CH37263).
A GaAs/AlGaAs HBT VCO designed for 2.36 GHz to 2.48 GHz was integrated with a solidly mounted resonator (SMR) (fo=2.347 GHz). The resonator consisted of a thin film of zinc oxide sputtered over an acoustic mirror. The SMR used in this VCO was fabrica
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.