Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"S. Paprotta"'
Autor:
T. Kern, Robert Strenz, J. Hsiao, C. T. Hsieh, Y. T. Lin, G. Tempel, R. Duschl, A. Gratz, E. Suryaputra, K. Ho, A. Iserhagen, J.R. Power, C. Bukethal, V. Pissors, M. Rohrich, H. H. Kuo, C. M. Huang, C. H. Tan, R. Ullmann, W. Dickenscheid, D. Shum, L. C. Tran, S. Paprotta, W. Langheinrich, E. O. Andersen, C. W. Hung, C. W. Ho
Publikováno v:
2012 4th IEEE International Memory Workshop.
A split-gate (SG) flash memory cell has been embedded in a 65nm ground-rule high performance (HP) CMOS logic process with copper low K interconnects. A gate spacer processing sequence self-aligned (SA) process provides a reliability-robust cell and h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::734c50ad55a021879dbd448ae980777e
https://doi.org/10.1109/imw.2012.6213670
https://doi.org/10.1109/imw.2012.6213670
Publikováno v:
MRS Proceedings. 609
Up to now an in-line method for parameter determination of deposited thin polysilicon films is not available. In this paper a method for monitoring the polysilicon deposition process in device manufacturing by variable angle spectroscopic ellipsometr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::496e0cb668e6a5fed0749a607cc92cb8
https://doi.org/10.1557/proc-609-a8.8
https://doi.org/10.1557/proc-609-a8.8
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 86:033111
A special solid-phase epitaxy technique utilizing the surfactant B for the growth of crystalline Si-QWs on CaF2∕Si(111) enabled us to grow CaF2∕Si∕CaF2 double-barrier diodes exhibiting resonant tunneling effects from 77K up to room temperature
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::56e343c43183dea999201a03f7b0db43
https://doi.org/10.1063/1.1853522
https://doi.org/10.1063/1.1853522
Autor:
J. Stemmer, O.K. Semchinova, J. Aderhold, J. Graul, T. Rotter, M. Seyboth, S. Paprotta, D. Mistele, V. Schwegler, H. Klausing, F. Fedler
Publikováno v:
Electronics Letters. 37:715
The DC characteristics of an AlGaN/GaN metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor are presented. The unique feature of this device is its oxide, which is formed photoelectrochemically at room temperature. For a device with a ga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf3d21241a9329cd3d2b60ec182ce04d
https://doi.org/10.1049/el:20010484
https://doi.org/10.1049/el:20010484
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.