Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"S. Ould Saad"'
Autor:
Ahaitouf, A., Srour, H., Hamady, S. Ould Saad, Fressengeas, N., Ougazzaden, A., Salvestrini, J.P.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 November 2012 522:345-351
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 298:428-432
Thin films of GaN were grown on template substrates of 4-μm-thick GaN layers on sapphire substrates by low-pressure metal organic vapour-phase epitaxy (LP-MOVPE) in a new-design reactor with the shape T. Wide range of growth temperature from 520 to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f254ef372d10261cfd8b6629e3356c4
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.064
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.064
Autor:
Konstantinos M. Paraskevopoulos, Triantafillia Zorba, S. Ould-Saad, Thomas Heiser, Georges Hadziioannou, K. van de Wetering, Cyril Brochon, Umberto Giovanella, George Adamopoulos
Publikováno v:
Thin Solid Films
Thin Solid Films, Elsevier, 2006, 511-512, pp.371-376
Thin Solid Films, Elsevier, 2006, 511-512, pp.371-376. ⟨10.1016/j.tsf.2005.12.029⟩
Thin Solid Films, Elsevier, 2006, 511, pp.371--376
Thin Solid Films, Elsevier, 2006, 511-512, pp.371-376
Thin Solid Films, Elsevier, 2006, 511-512, pp.371-376. ⟨10.1016/j.tsf.2005.12.029⟩
Thin Solid Films, Elsevier, 2006, 511, pp.371--376
International audience; A series of polystyrene (PS) and fullerene (C-60) based thin films containing from 23 to 60 wt.% in fullerene were investigated. Initially, the films were characterised by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) spectro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5f7d94da981f58ad965ccc17babaf497
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.029
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.029
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Simon Gautier, T. Baghdadli, Abdallah Ougazzaden, Jérôme Martin, M. Bouchaour, S. Ould Saad Hamady
Publikováno v:
physica status solidi c. 5:3051-3053
In this study, Raman scattering measurements are reported on the BxGa1–xN layers grown on AlN-on-sapphire templates by MOVPE. The boron content covered the composition range from 0% (pure GaN) to 1.75%. The Raman spectra were recorded at 300 K with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d83505907e0589cc965eeac43aa71e77
https://doi.org/10.1002/pssc.200779186
https://doi.org/10.1002/pssc.200779186
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.