Zobrazeno 1 - 10 of 291 pro vyhledávání: '"S. Ohkouchi"'
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Rim formation on non-elongated InAs quantum dots grown by partial cap and annealing process at low temperature
Autor: Naoto Kumagai, S. Ohkouchi, Yasuhiko Arakawa, Katsuyuki Watanabe, Satoshi Iwamoto
Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 378:558-561
We have used atomic force microscopy to study in detail the shape of InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs (001) substrates. The QDs are fabricated by partial capping and a subsequent annealing process at low temperature. We observe circular, non-elo
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9e0b505c55110cf5254504ffc4928273
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.108
Zobrazit plný text záznamu
9
Shape evolution of low density InAs quantum dots in the partial capping process by using As2 source
Autor: Yasuhiko Arakawa, Naoto Kumagai, Katsuyuki Watanabe, Satoshi Iwamoto, S. Ohkouchi
Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 378:549-552
Shape changes in the capping process of low density InAs quantum dots (QDs) with a thin GaAs layer under As4 and As2 conditions were investigated by atomic force microscopy. The shapes of the capped QDs differ considerably depending on the used arsen
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ce4bc757a70f5774c7340d41d9a90fe
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.109
Zobrazit plný text záznamu
10
New method to isolate and distribute photoluminescence emissions from InAs quantum dots over a wide-wavelength range
Autor: S. Ohkouchi, Yuichi Igarashi, Shinichi Yorozu, Satoshi Iwamoto, Naoto Kumagai, Masayuki Shirane, Masahiro Nomura, Yasutomo Ota, Yasuhiko Arakawa
Publikováno v: Journal of Crystal Growth. 323:250-253
We propose a new method to isolate and distribute the photoluminescence emission wavelengths of InAs quantum dots (QDs) over a wide-wavelength range by the growth of the partial GaAs capping layer at low temperature and annealing processes. When the
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d933080420382f7703eab6ce15eb9caf
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.12.026
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje