Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"S. Naten"'
Autor:
Philippe Jansen, Walter De Raedt, S. Naten, K. De Meyer, M. Van Rossum, Wim Schoenmaker, D. Stubbe, N. Maene
Publikováno v:
European Transactions on Telecommunications. 1:433-437
The two-dimensional device simulator PRISM (PRogram for Investigating Semiconductor Models) [1], which is a general purpose device simulator, has been adapted to simulate III-V heterojunction FET's [2]. PRISM can now simulate silicon devices (as MOSF
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e43693ffcf0879b71581c193c30450e4
https://doi.org/10.1002/ett.4460010411
https://doi.org/10.1002/ett.4460010411
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.