Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"S. Mileusnic"'
Publikováno v:
2002 23rd International Conference on Microelectronics. Proceedings (Cat. No.02TH8595).
Charge build-up and generation of interface states are the most important degradation factors in metal-oxide-semiconductor devices. Traditional methods to determine the radiation hardness of MOS structures require destructive testing. In this study w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66fe90c3d394e029a252c14c42fb0fd1
https://doi.org/10.1109/miel.2002.1003369
https://doi.org/10.1109/miel.2002.1003369
Publikováno v:
11th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (IEEE Cat. No.02CH37379).
Traditional methods to determine the radiation hardness of MOS structures require destructive testing. Electrical measurements represent an attractive, nondestructive way for determining the MOS transistor parameters and for understanding the mechani
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::185f714dc7e33ca4b38198c12991d8d2
https://doi.org/10.1109/melecon.2002.1014523
https://doi.org/10.1109/melecon.2002.1014523
Publikováno v:
2001 International Semiconductor Conference. CAS 2001 Proceedings (Cat. No.01TH8547).
Charge stored in the transistor causes capacitive effects that influence transient behavior of MOSFETs. C-V measurement is a fundamental technique for MOSFET characterization. Split C-V measurements are evaluated as a characterization method for MOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f6ae58c064e75fe99cc6f8bf0fccc3d
https://doi.org/10.1109/smicnd.2001.967515
https://doi.org/10.1109/smicnd.2001.967515
Publikováno v:
2000 22nd International Conference on Microelectronics. Proceedings (Cat. No.00TH8400).
Split C-V measurements are evaluated as a characterization method for power VDMOSFETs. The measurement of the gate total capacitance results for VDMOSFETs in a complex curve which is superposition of the electron and hole, accumulation, depletion and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3d8a327d8fffde09d65e3497d35dc160
https://doi.org/10.1109/icmel.2000.840584
https://doi.org/10.1109/icmel.2000.840584
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.