Zobrazeno 1 - 10
of 207
pro vyhledávání: '"S. Marcinkevičius"'
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 2, Iss 4, Pp 042148-042148-7 (2012)
Time-resolved photoreflectance (PR) in AlInN/GaN heterostructures was applied to study carrier dynamics at energies extending from the uniform AlInN alloy band gap to the band gap of GaN. PR at the AlInN band gap has been found to have subpicosecond
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4f72ca892601432a95448cb68074c4c2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 119:215706
Fe doped GaN was studied by time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy. The shape of PL transients at different temperatures and excitation powers allowed discrimination between electron and hole capture to Fe3+ and Fe2+ centers, respectively.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fac2e9826e1463eaac7e3e1ba067b130
https://doi.org/10.1063/1.4953219
https://doi.org/10.1063/1.4953219
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 82:660-663
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e41e8039951588c6c7ac31dc7ce2e524
https://doi.org/10.12693/aphyspola.82.660
https://doi.org/10.12693/aphyspola.82.660
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 7:818-821
Photoluminescence and photoluminescence excitation spectra of InGaAs/GaAs single quantum well structures with quantum wells located at different distances from the surface have been studied at 2 K. The role of the surface electric field in carrier tr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e50f2788ee41dca88884f4237f605202
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/6/014
https://doi.org/10.1088/0268-1242/7/6/014