Zobrazeno 1 - 10
of 1 440
pro vyhledávání: '"S. Maimon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas Nemeth
Publikováno v:
Phenomenological Reviews. 5:49
Publikováno v:
The Review of Metaphysics, 1966 Dec 01. 20(2), 372-372.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/20124268
Publikováno v:
Open Journal of Medical Psychology. 12:17-54
Autor:
Yasmeen Abu-Fraiha, Shahar Geva Robinson, Michal s. Maimon, Lior Hassan, Itamar Grotto, Limor Gortzak Uzan, Sivan Goldin, Victor Novack, Nimrod Maimon
Publikováno v:
Gerontology.
Introduction Outbreaks of COVID-19 in long-term care facilities (LTCFs) have resulted mainly from disease transmission by asymptomatic health care workers. This study examines whether routine screening tests carried out on health care workers can hel
Немецкая философия конца XVIII – первой трети XIX века, смысловое ядро которой составляли идеалистические концепции Канта, Фихте, Шеллинга
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::571b6504248155fe9dcf1d92149004a0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fani Andelman, Itzhak Fried, S. Maimon, Miriam Y. Neufeld, Yisrael Parmet, Svetlana Kipervasser
Publikováno v:
Acta Neurologica Scandinavica. 127:97-102
Objectives To evaluate unilateral memory function by the means of a modified Montreal etomidate speech and memory procedure (e-SAM) in epilepsy patients who were candidates for standard anterior temporal lobectomy involving resection of mesial tempor
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics and Systems. 20:557-564
Tunneling currents and surface leakage currents are both contributors to the overall dark current which limits many semiconductor devices. Surface leakage current is generally controlled by applying a post-epitaxial passivation layer; however, surfac
Publikováno v:
physica status solidi c. 7:2540-2543
Surface leakage currents are one of the many causes of dark current exhibited by semiconductor devices and are a common limiting factor to device performance for many types of devices. Traditionally, these surface leakage currents are controlled thro