Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"S. Lozzia"'
Autor:
G. DIEGO BLUM, FACUNDO J.P. ABAL, GABRIELA S. LOZZIA, JIMENA C. PICÓN JANEIRO, HORACIO F. ATTORRESI
Publikováno v:
Interdisciplinaria, Vol 28, Iss 1, Pp 131-144 (2011)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/103081cd11d94ec3b49b7b9cf8f48b0a
Autor:
María Ester Aguerri, Gabriela S. Lozzia, María Silvia Galibert, Marta L. Zanelli, Horacio F. Attorresi
Publikováno v:
Psicológica, Vol 24, Iss 002, Pp 289-306 (2003)
Se estudia mediante simulación el Error de Tipo I cometido en el análisis del Funcionamiento Diferencial del Ítem (DIF) cuando se aplica la prueba normal para la diferencia de los parámetros de dificultad. En el diseño se consideraron diversa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d3440cb87a124adb8aecd98dbbbd24aa
Autor:
G. Diego Blum, María Silvia Galibert, Facundo J. P. Abal, Gabriela S. Lozzia, Horacio F. Attorresi
Publikováno v:
Escritos de Psicología, Vol 4, Iss 3, Pp 36-43 (2011)
The psychometric properties of a Figural Analogies Test are described within the framework of Item Response Theory. Thirty-six 2x2 matrix figures were constructed by using location, distortion and number rules. The sample included 499 psychology stud
Autor:
Stefano Taddei, S. Franchi, Anna Vinattieri, Stefano Sanguinetti, Massimo Gurioli, Paola Frigeri, Marcello Colocci, Emanuele Grilli, Mario Guzzi, S. Lozzia
Publikováno v:
190 (2002): 577.
info:cnr-pdr/source/autori:Gurioli M., Sanguinetti S., Lozzia S., Grilli E., Guzzi M., Frigeri P., Franchi S., Colocci M., Vinattieri A.., Taddei S./titolo:Electronic coupling effects on the optical properties and carrier dynamics of inas quantum dots/doi:/rivista:/anno:2002/pagina_da:577/pagina_a:/intervallo_pagine:577/volume:190
info:cnr-pdr/source/autori:Gurioli M., Sanguinetti S., Lozzia S., Grilli E., Guzzi M., Frigeri P., Franchi S., Colocci M., Vinattieri A.., Taddei S./titolo:Electronic coupling effects on the optical properties and carrier dynamics of inas quantum dots/doi:/rivista:/anno:2002/pagina_da:577/pagina_a:/intervallo_pagine:577/volume:190
Vertically aligned InAs/GaAs quantum dot structures were investigated. They were grown by atomic layer molecular beam epitaxy, with 10 layers and wedged spacer thickness d varying between 7.7 and 12.5 nm at steps of 0.2 nm. The effects of electronic
Autor:
P. Altieri, Massimo Gurioli, Stefano Sanguinetti, Paola Frigeri, S. Lozzia, Mario Guzzi, Emanuele Grilli, S. Franchi
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 88:252-254
We investigated a large series of self-assembled InAs and In xGa1-xAs quantum dot (QD) structures by means of photoluminescence (PL) and PL excitation (PLE) techniques. A pronounced dip of the QD PLE spectra just below the GaAs absorption edge has be
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.