Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"S. Lindenkreuz"'
Publikováno v:
Sensors and Actuators A: Physical. 81:18-22
In this paper, we analyse the Anti-Hall (AH) method for offset reduction and the spinning-current method. The first method uses Hall plates with an inner and an outer boundary with multiple current injections at the same time. Simultaneously one obta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::15b21f44c9aabf0b3cf6add2e034c895
https://doi.org/10.1016/s0924-4247(99)00163-6
https://doi.org/10.1016/s0924-4247(99)00163-6
Publikováno v:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 5:250-257
Fully coupled dynamic electro-thermal simulation on chip and circuit level is presented. Temperature dependent thermal conductivity of silicon is taken into account, thus solving the nonlinear heat diffusion equation. The numerical solution is carrie
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1be46544c58b6a477a4f2a65cb772965
https://doi.org/10.1109/92.609867
https://doi.org/10.1109/92.609867
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 67:2223-2225
A novel misalignment offset reduction technique is extended in order to separate a piezoresistive voltage, from the Hall voltage, in doubly connected Hall elements based on silicon. In a special configuration, this method exploits directional averagi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::89e062e38e95bd97737bbd2522ff64ec
https://doi.org/10.1063/1.115110
https://doi.org/10.1063/1.115110
Autor:
A. Stricker, S. Lindenkreuz, L. Zullino, S. Mettler, L. Colalongo, A. Valdinoci, Giorgio Baccarani, F. Illien, Wolfgang Fichtner, N. Felber, Massimo Rudan, Susanna Reggiani
Publikováno v:
International Conferencre on Simulation of Semiconductor Processes and Devices.
An experimental investigation on high-temperature carrier mobility in silicon inversion layers is carried out with the aim of improving our understanding of carrier transport at the onset of second breakdown. Special MOSFET structures suitable for Ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::955d33f87f6a517d7c5005cdc74600eb
https://doi.org/10.1109/sispad.2002.1034506
https://doi.org/10.1109/sispad.2002.1034506
Autor:
N. Maene, H. Richter, J. Hanseler, E. Janssens, T. Brenner, J. le Ber, S. Lindenkreuz, G. Morin
Publikováno v:
ICMTS 92 Proceedings of the 1992 International Conference on Microelectronic Test Structures.
A CMOS 0.7- mu m test chip for technology and model parameter measurements and reliability testing is presented. The basic concept is based on well-defined standardized modules with fixed sizes. It was designed by eight European companies with common
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f96e118ffa46248b11a41695c90b7e11
https://doi.org/10.1109/icmts.1992.185960
https://doi.org/10.1109/icmts.1992.185960
Publikováno v:
Twenty Second IEEE/CPMT International Electronics Manufacturing Technology Symposium. IEMT-Europe 1998. Electronics Manufacturing and Development for Automotives (Cat. No.98CH36204).
We present circuit simulation by considering self-heating of and electro-thermal interaction between the devices. The heat diffusion equation is solved in the silicon die, adhesive layer and header. Thermal compact models represent heat propagation t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48fce9530013a64cbe2f2aab0060fb9a
https://doi.org/10.1109/iemte.1998.723075
https://doi.org/10.1109/iemte.1998.723075
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.