Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"S. Leomant"'
Autor:
Walter Rieger, Oliver Häberlen, Martin Pölzl, Maximilian Rösch, Gerhard Nöbauer, S. Leomant, J. Schoiswohl
Publikováno v:
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD).
A novel 25V silicon trench power MOSFET optimized for fast and high efficient switching with record Ron∗Qg and Ron∗Qoss figure-of-merits is reported. A dual channel structure with two different gate oxide thicknesses allows reducing the body diod
Publikováno v:
International Conference on Design and Test of Integrated Systems in Nanoscale Technology, 2006. DTIS 2006..
Leakage currents are of major concern in nanometer technologies. To address this issue, it is essential to have a good understanding of all leakage contributors, very soon during the new technology development step. This paper presents our methodolog
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2015, p1-11, 11p