Zobrazeno 1 - 10
of 245
pro vyhledávání: '"S. Lariviere"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Marleen H. van der Veen, Herbert Struyf, N. Jourdan, S. Lariviere, V. Vega Gonzalez, O. Varela Pedreira, S. Decoster, Lieve Teugels, Christopher J. Wilson, Zs. Tokei, K. Croes, Annelies Delabie, Job Soethoudt
Publikováno v:
2020 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC).
Patterns down to 21nm metal pitch (MP) have been used in the hybrid metallization scheme of Ru via prefill followed by a Cu trench metallization. The via resistance for Ru in hybrid with TaNRu/Cu trench fill is benchmarked to Co and Ru dual-damascene
Autor:
V. Vega-Gonzalez, J. Bekaert, E. Kesters, Q. T. Le, C. Lorant, O. Varela P., L. Teugels, N. Heylen, Z. El-Mekki, M. van der Veen, T. Webers, C. J. Wilson, H. Vats, L. Rynders, M. Cupak, J. Uk-Lee, Y. Drissi, L. Halipre, A.-L. Charley, P. Verdonck, T. Witters, S. V. Gompel, B. Briggs, Y. Kimura, N. Jourdan, I. Ciofi, A. Gupta, A. Contino, G. Boccardi, S. Lariviere, L. Dupas, B. De-Wachter, E. Vancoille, S. Decoster, F. Lazzarino, M Ercken, P. Debacker, R. Kim, D. Trivkovic, K. Croes, P. Leray, L. Dillemans, Y.-F. Chen, Z. Tokei, J. Versluijs, A. Lesniewska, S. Paolillo, R. Baert, H. Puliyalil
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
The integration of a three-layer BEOL process which includes an intermediate 21 nm pitch level, relevant for the 3 nm technology node, is demonstrated. A full barrier-less Ruthenium (Ru) dual-damascene (DD) metallization allowed to test different dim