Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"S. Lagrasta"'
Autor:
P. Ruault, Gong Bo, O. Hinsinger, B. van Schravendijk, D. Winandy, C. Fenouillet-Beranger, D. Galpin, D. Vo-Thanh, S. Lagrasta, Romain Duru, Remi Beneyton, C. Gaumer, J. Mazurier, S. Chhun, N. Chauvet, Bhadri N. Varadarajan, D. Barge, P. Meijer, N. Sun, Daniel Benoit
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
For the first time, the interest of a new SiCO low-k spacer material deposited at 400°C is evaluated in the perspective of a 3D VLSI integration. The benefits of SiCO low-k (4.5 vs 7 for SiN) value is preserved throughout the whole integration and t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::55b982f281a226468041de5b5459d450
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409656
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409656
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michel Haond, J. Mazurier, S. Chhun, N. Degors, P. Maury, Emmanuel Josse, J.-P. Manceau, D. Barge, Olivier Weber, S. Lagrasta
Publikováno v:
2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology).
A performance upgrade of our 14nm FDSOI technology is reported in this paper. Compared to our previous 14nm FDSOI assessment, a −17% delay at the same leakage is demonstrated. We show that the AC performance of 28nm FDSOI at a 0.9V supply voltage i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90b729e10e2ecf3ac1008c1fd57955be
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223664
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223664
Autor:
B. Le-Gratiet, G. Druais, Denis Rideau, Marie-Anne Jaud, J.-D. Chapon, D. Hoguet, M. Mellier, L. Babaud, Clement Pribat, Emmanuel Josse, D. Barge, S. Puget, J. Mazurier, L. Grenouillet, Nicolas Loubet, S. Zoll, Thierry Poiroux, Jerome Simon, S.P. Fetterolf, M. Bidaud, S. Chhun, M. Vinet, Quanwei Liu, R. Bianchini, E. Bernard, J.-F. Kruck, X. Gerard, C. Gaumer, A. Pofelski, Francois Andrieu, Mustapha Rafik, Olivier Weber, N. Guillot, Pascal Gouraud, F. Abbate, O. Faynot, N. Degors, Olivier Gourhant, Antoine Cros, L. Parmigiani, E. Petitprez, J. Lacord, Patrick Scheer, C. Monget, Michel Haond, Evelyne Richard, P. Maury, Bruce B. Doris, M. Celik, Daniel Benoit, Frederic Monsieur, E. Baylac, L. Clément, S. Lagrasta, Magali Gregoire, J.-P. Manceau, S. Lasserre, P. Perreau, P. Brun, C. Gallon, V. Beugin, Remi Beneyton, Eric Perrin, S. Delmedico, R. Bingert
Publikováno v:
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers.
This paper presents a 14nm technology designed for high speed and energy efficient applications using strain-engineered FDSOI transistors. Compared to the 28nm FDSOI technology, this 14nm FDSOI technology provides 0.55× area scaling and delivers a 3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aedffd54e01f33ec4661fa88cc9e090c
https://doi.org/10.1109/vlsit.2014.6894343
https://doi.org/10.1109/vlsit.2014.6894343
Autor:
M. Mellier, Michel Haond, D. Barge, Dominique Golanski, E. Richard, Franck Arnaud, N. Guillot, Nicolas Planes, David Petit, P. Perreau, L. Pinzelli, Y. Campidelli, C. Fenouillet-Beranger, S. Lagrasta, Olivier Weber, B. Dumont, V. Barral, Pascal Gouraud
Publikováno v:
2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA).
This work highlights the way to optimize the speed/power performance of the planar FDSOI technology at the 28nm node and beyond. The combination of gate length shrink and spacerO increase leads to 13% delay decrease and 15% dynamic power saving at sa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12cd83c92236594dc2a84e48e3fa020e
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2013.6545645
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2013.6545645
Autor:
Thomas Signamarcheix, Laurent Clavelier, Cyrille Le Royer, T. Billon, S. Lagrasta, Carl Quaeyhaegens, D. Bensahel, B. Depuydt, N. Kernevez, Jean-Francois Damlencourt, Yves Morand, Claude Tabone, Olivier Kermarrec, Y. Campidelli, Arnaud Rigny, S. Descombes, Jean-Michel Hartmann, Simon Deleonibus, Nikolay Cherkashin, Antoon Theuwis, Benjamin Vincent, Chrystel Deguet, T. Akastu, P. Rivallin, L. Sanchez
Publikováno v:
Workshop on Germanium for CMOS
Workshop on Germanium for CMOS, Nov 2006, ville indéterminée, Unknown Region. pp.789-805, ⟨10.1149/1.2355874⟩
Workshop on Germanium for CMOS, Nov 2006, ville indéterminée, Unknown Region. pp.789-805, ⟨10.1149/1.2355874⟩
The challenges posed by the scaling of Silicon (Si) devices make mandatory the study of new materials to overcome the physical limitations of the Si. Germanium (Ge) was actually used in the first transistors but was then abandoned in favour of Si due
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c4581ac3f93125f1c1d7538e5f880620
https://hal.science/hal-01736072
https://hal.science/hal-01736072
Autor:
M. Bordin, S. Lagrasta
Publikováno v:
Guidance, Navigation, and Control Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0d37695338238d27e9c9674ff2baa07
https://doi.org/10.2514/6.1996-3823
https://doi.org/10.2514/6.1996-3823
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.