Zobrazeno 1 - 10
of 541
pro vyhledávání: '"S. L. Hsu"'
Autor:
Z. Q. Liu, J. H. Liu, M. D. Biegalski, J.-M. Hu, S. L. Shang, Y. Ji, J. M. Wang, S. L. Hsu, A. T. Wong, M. J. Cordill, B. Gludovatz, C. Marker, H. Yan, Z. X. Feng, L. You, M. W. Lin, T. Z. Ward, Z. K. Liu, C. B. Jiang, L. Q. Chen, R. O. Ritchie, H. M. Christen, R. Ramesh
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 9, Iss 1, Pp 1-7 (2018)
Electric-field-induced cracks are generally detrimental to functionality of ferroelectric ceramics. Liu et al. use an intermetallic alloy and ferroelectric oxide junction to mediate the reversible formation of cracks at nanoscales, resulting in colos
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ffb9973e1ed645078b4f227d83caeac4
Autor:
J. D. Clarkson, I. Fina, Z. Q. Liu, Y. Lee, J. Kim, C. Frontera, K. Cordero, S. Wisotzki, F. Sanchez, J. Sort, S. L. Hsu, C. Ko, L. Aballe, M. Foerster, J. Wu, H. M. Christen, J. T. Heron, D. G. Schlom, S. Salahuddin, N. Kioussis, J. Fontcuberta, X. Marti, R. Ramesh
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-7 (2017)
Abstract The ability to control a magnetic phase with an electric field is of great current interest for a variety of low power electronics in which the magnetic state is used either for information storage or logic operations. Over the past several
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8cf62e701aa84de3a911e9fe72cee079
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. Li, L. C. Wang, S. S. Cheema, N. Shanker, J. H. Park, Y. H. Liao, S. L. Hsu, C. H. Hsu, S. Volkman, U. Sikder, A. J. Tan, J. H. Bae, C. Hu, S. Salahuddin
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ded93afca17b7593dad555bdc2d6693f
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720658
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720658
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.