Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"S. Kirnstoetter"'
Autor:
Mathias Rommel, H.-J. Schulze, S. Kirnstoetter, Johannes Georg Laven, Moriz Jelinek, Lothar Frey, Werner Schustereder
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 365:240-243
In this study we examine proton implanted and subsequently annealed commercially available CZ wafers with the DLTS method. Depth-resolved spreading resistance measurements are shown, indicating an additional peak in the induced doping profile, not se
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6304db3b743c7e56581e38925c7cd79
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.078
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2015.07.078
Autor:
Bernhard Loeffler, Peter Hadley, M. Faccinelli, Rainer Minixhofer, Frederic Roger, A. Kraxner, S. Kirnstoetter
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
In this work the characterization of CMOS diodes with Electron Beam Induced Current (EBIC) measurements in a Scanning Electron Microscope (SEM) are presented. Three-dimensional Technology Computer Aided Design (TCAD) simulations of the EBIC measureme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7455a04221f1998c11435edd5d5914d4
https://doi.org/10.1117/12.2066124
https://doi.org/10.1117/12.2066124
Autor:
H.-J. Schulze, Werner Schustereder, S. Kirnstoetter, Mathias Rommel, Johannes Georg Laven, Moriz Jelinek, Lothar Frey
Publikováno v:
2014 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT).
Hydrogen implantation has become an important application in the fabrication of power semiconductor devices. With the product requirement of a well-defined implantation profile, adequate control of the incident beam angle is necessary in order to avo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0109c4541b46ff7f6ed391034d6d666f
https://doi.org/10.1109/iit.2014.6940059
https://doi.org/10.1109/iit.2014.6940059
Autor:
Johannes Georg Laven, S. Kirnstoetter, Werner Schustereder, Peter Hadley, Moriz Jelinek, Martin Faccinelli, H.-J. Schulze
Publikováno v:
2014 20th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT).
Implanting hydrogen ions (H+) into silicon creates defects that can act as donors. The microscopic structure of these defects is not entirely clear. There is a difference in the resulting doping profiles if the silicon is produced by the float zone (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88b7bc12375baeb2a2a3a2f96c22c82b
https://doi.org/10.1109/iit.2014.6940055
https://doi.org/10.1109/iit.2014.6940055
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.