Zobrazeno 1 - 10
of 269
pro vyhledávání: '"S. Kennou"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Antonios M. Douvas, Giorgos Papadimitropoulos, S. Kennou, I. Karystinos, Ioannis Kostis, Anastasia Soultati, Dimitris Davazoglou, Maria Vasilopoulou, George Skoulatakis
Publikováno v:
Thin Solid Films. 615:329-337
Hydrogenated sub-stoichiometric oxides exhibiting perovskite structure such as those of tungsten and of molybdenum (H:MOx, where M = W or Mo and x H bonds present in them only, without heating the rest of the lattice and the substrate. It was shown t
Autor:
Stavroula N. Georga, George Skoulatakis, Panagiotis Svarnas, Martha A. Botzakaki, Christoforos A. Krontiras, S. Kennou, Spyridon Ladas, Christos Tsamis
Publikováno v:
Thin Solid Films. 599:49-53
It is well recognized that native oxide of germanium is hygroscopic and water soluble, while germanium dioxide is thermally unstable and it is converted to volatile germanium oxide at approximately 400 °C. Different techniques, implementing quite co
Autor:
Spyridon Ladas, Anastasios Travlos, Stavroula N. Georga, Martha A. Botzakaki, Spyridon Korkos, Christoforos A. Krontiras, S. Kennou, N. Xanthopoulos, Charalampos Drivas
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A. 38:032402
Metal oxide semiconductor capacitors that incorporate tantalum pentoxide (Ta2O5) thin films as dielectric were fabricated via the atomic layer deposition (ALD) technique and characterized through TEM, XPS, C–V, and I–V measurements. TEM analysis
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Vasilopoulou, A. Soultati, D. G. Georgiadou, T. Stergiopoulos, L. C. Palilis, S. Kennou, N. A. Stathopoulos, D. Davazoglou, P. Argitis
Publikováno v:
J. Mater. Chem. A. 2:1738-1749
Autor:
S. Kennou, Ariadni P. Kerasidou, N. Xanthopoulos, Dimitrios Skarlatos, Christoforos A. Krontiras, Martha A. Botzakaki, Spyridon Ladas, Stavroula N. Georga
Publikováno v:
physica status solidi c. 10:137-140
The electrical behaviour of Al/Al2O3/p-Ge MOS capacitors, with 10 nm oxide thickness, has been studied in the temperature range between 130 K and 330 K. The ALD method for the Al2O3 deposition has been used. C-V and G-f measurements reveal high value
Autor:
Labrini Sygellou, Spyridon Ladas, S. Kennou, Christoforos A. Krontiras, Violeta Gianneta, D. Skarlatos, N. Xanthopoulos, Stavroula N. Georga
Publikováno v:
Surface Science Spectra. 18:58-67
Thin films of aluminium oxide (Al2O3) and zirconium oxide (ZrO2) were prepared by Atomic Layer Deposition (ALD) on p-type (100) germanium substrates. In the present work a detailed analysis of the films by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in or