Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"S. Kallijärvi"'
Autor:
P. Heikkila, P. Mehtälä, Kati Lassila-Perini, V. K. Eremin, E. M. Verbitskaya, O. Anttila, S. Kallijärvi, H. Nikkilä, Marko Yli-Koski, Andrew Ivanov, L. Palmu, T. O. Niinikoski, Esa Tuovinen, Eija Tuominen, Victor Ovchinnikov, J. Harkonen
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 514:173-179
We have processed large-area strip sensors on silicon wafers grown by the magnetic Czochralski (MCZ) method. The n-type MCZ silicon wafers manufactured by Okmetic Oyj have nominal resistivity of 900 Ω cm and oxygen concentration of less than 10 ppma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::631a6a71ceba56798e02d793e64ebafe
https://doi.org/10.1016/j.nima.2003.08.102
https://doi.org/10.1016/j.nima.2003.08.102
Autor:
L. Palmu, I. Riihimäki, S. Kallijärvi, Eija Tuominen, Ari Virtanen, Esa Tuovinen, J. Nysten, Victor Ovchinnikov, T. Alanko, P. Laitinen, J. Harkonen, Marko Yli-Koski, G. P. Tiourine, Kati Lassila-Perini, A. Pirojenko, S. Nummela, P. Heikkila
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 512:85-91
Introducing oxygen into the silicon material is believed to improve the radiation hardness of silicon detectors. In this study, oxygenated and non-oxygenated silicon samples were processed and irradiated with 15 MeV protons. In order to speed up the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3d1b5fc95decf9f07f8b1018a09bddba
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(03)01880-1
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(03)01880-1
Autor:
Kati Lassila-Perini, T. Alanko, Esa Tuovinen, Victor Ovchinnikov, L. Palmu, J. Harkonen, P. Mehtala, J. Nysten, P. Laitinen, Ari Virtanen, Eija Tuominen, I. Riihimäki, A. Pirojenko, P. Heikkila, S. Nummela, Martti Palokangas, Marko Yli-Koski, S. Kallijärvi, G. P. Tiourine
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 49:2910-2913
The effect of oxygenation on the radiation hardness of silicon detectors was studied. Oxygen-enriched and standard float-zone silicon pin-diodes and oxidized samples were processed and irradiated with 15-MeV protons. After the irradiations, the surfa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31beafe2cf2007edc767f542393289b2
https://doi.org/10.1109/tns.2002.805345
https://doi.org/10.1109/tns.2002.805345
Autor:
L. Palmu, S. Kallijärvi, Marko Yli-Koski, P. Heikkila, Martti Palokangas, Eija Tuominen, Victor Ovchinnikov, J. Harkonen, Kati Lassila-Perini
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 485:159-165
Three sets of silicon microstrip detectors have been processed and characterized. Recombination lifetimes of each set have been measured by Microwave Photoconductivity Decay ( μ PCD) method. In the this method, the silicon is illuminated by a laser
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2da99444c205e6c6a724f934ee45a3f8
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(02)00548-x
https://doi.org/10.1016/s0168-9002(02)00548-x
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.