Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"S. Kabuyanagi"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:7089-7095
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::096dcbda614f05de9a7582380ac2a367
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3212332
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3212332
Autor:
Daniele Garbin, Sergiu Clima, T. Ravsher, S. Kabuyanagi, Andrea Fantini, Robin Degraeve, Gouri Sankar Kar
Publikováno v:
IRPS
This paper presents a two-state model for OTS defects with a field and temperature-dependent transition. Switching transients of OTS selectors are simulated and the dependence of the threshold voltage on the relaxation time is modeled. A spectroscopi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d60bca08db50b3abfc7dced17cd46eef
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405114
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405114
Autor:
W. G. Kim, Daniele Garbin, D. Cellier, Robin Degraeve, Sergiu Clima, S. Kabuyanagi, Mahendra Pakala, A. Cockburn, G. L. Donadio, Andrea Fantini, Wouter Devulder, Gouri Sankar Kar, M. Suzuki, Ludovic Goux, Romain Delhougne
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology.
Switching mechanism and its controllability in Ovonic Threshold Switching (OTS) devices are systematically investigated by using Si-Ge-As-Se quaternary system known as promising OTS materials. We newly demonstrate that selector device performance is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0cdcb8bfe4858a488ad7b70590df0dee
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265011
https://doi.org/10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265011
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5a37a69d1d869526f2e004fb3c85725
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.b-3-05
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.b-3-05
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ea7d067f6e0baabb890e5e6aac4f5a7
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.n-3-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.n-3-2
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8b7aca3a8cbe31e3d81372a4a6798e9
https://doi.org/10.7567/ssdm.2014.f-2-3
https://doi.org/10.7567/ssdm.2014.f-2-3
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.