Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"S. Joumori"'
Autor:
Alex See, Jia Zhen Zheng, K. L. Tok, S. Joumori, B. C. Zhang, Thomas Osipowicz, Motofumi Suzuki, Kuniko Kimura, Kazuo Nakajima
Publikováno v:
Applied Surface Science. 237:416-420
Characterization of a HfO2 (3 nm)/Si(0 0 1) interface prepared by atomic-layer chemical vapor deposition has been performed with high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy (HRBS). Strain depth profile in the interface region has been meas
Autor:
Hiroshi Iwai, Kazuo Nakajima, K. Takahashi, C. Ohshima, T. Shiraishi, Takeshi Hattori, I. Kashiwagi, Kuniko Kimura, S. Joumori, S. Ohmi, Motofumi Suzuki, Hiroshi Nohira
Publikováno v:
Applied Surface Science. 234:493-496
The composition and chemical structures of lanthanum oxide films were determined by combining angle-resolved photoelectron spectroscopy and high resolution Rutherford backscattering studies. Conduction and valence band discontinuity at La 2 O 3 /Si(1
Autor:
Motofumi Suzuki, S. Joumori, T. Shiraishi, Kenji Kimura, I. Kashiwagi, K. Takahashi, C. Ohshima, Hiroshi Nohira, Hiroshi Iwai, Takeshi Hattori, T. Yoshida, Kaoru Nakajima, Shun-ichiro Ohmi
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 72:283-287
The experimental data for Gd2O3, as a typical example of rare earth oxide films, clearly indicate that combination of high resolution RBS and high resolution XPS studies is powerful for the determination of composition and chemical structures of high
Publikováno v:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. :351-357
A compact high-resolution RBS (HRBS) system consisting of a simple magnetic spectrometer and a small accelerator is developed. The developed HRBS system has several attractive features, e.g. capability of depth profiling with monolayer depth resoluti
Autor:
Alex See, K. L. Tok, Kuniko Kimura, Motofumi Suzuki, Kazuo Nakajima, B. C. Zhang, Jia Zhen Zheng, S. Joumori, Thomas Osipowicz
Publikováno v:
APPLIED PHYSICS LETTERS. 83(2):296-298
Strain depth profiles in HfO2 (3 nm)/Si(001) prepared by atomic-layer chemical vapor deposition have been measured using high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy in combination with a channeling technique. It is found that the Si lattic
Autor:
Shik Shin, Yasutaka Takata, Keisuke Kobayashi, Tetsuya Ishikawa, Kazuo Nakajima, Shigeaki Zaima, Hiroshi Nohira, Kuniko Kimura, Akira Sakai, M. B. Seman, Osamu Nakatsuka, Motofumi Suzuki, Takeshi Hattori, Y. Sugita, S. Joumori
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.