Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"S. Joblot"'
Autor:
F. Guyader, P. Batude, P. Malinge, E. Vire, J. Lacord, J. Jourdon, J. Poulet, L. Gay, F. Ponthenier, S. Joblot, A. Farcy, L. Brunet, A. Albouy, C. Theodorou, M. Ribotta, D. Bosch, E. Ollier, D. Muller, M. Neyens, D. Jeanjean, T. Ferrotti, E. Mortini, J.G. Mattei, A. Inard, R. Fillon, F. Lalanne, F. Roy, E. Josse
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8c8470b7f599580ca94cfd1cec41f23
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019432
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019432
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Joblot, C. De-Buttet, Sébastien Petitdidier, F. Abbate, C. Jenny, Didier Celi, B. Ramadout, Thomas Quemerais, Sebastien Haendler, Laurent Favennec, Daniel Gloria, O. Robin, C. Richard, E. Canderle, B. Borot, K. Haxaire, N. Derrier, Remi Beneyton, Julien Rosa, G. Ribes, O. Saxod, P. Brun, Y. Campidelli, Pascal Chevalier, Cedric Durand, A. Montagne, Francois Leverd, G. Imbert, Olivier Gourhant, M. Guillermet, E. Gourvest, L. Berthier, Clement Tavernier, J. Cossalter, M. Buczko, C. Deglise, Mickael Gros-Jean, C. Julien, Jean-Damien Chapon, K. Courouble, D. Ney, G. Avenier, Patrick Maury, Y. Carminati, R. Bianchini, F. Foussadier
Publikováno v:
2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
This paper presents the first 55 nm SiGe BiCMOS technology developed on a 300 mm wafer line in STMicroelectronics. The technology features Low Power (LP) and General Purpose (GP) CMOS devices and 0.45 µm2 6T-SRAM bit cell. High Speed (HS) HBT exhibi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a267063e241381b03eefae310424668
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7046978
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7046978
Autor:
D. Pelissier-Tanon, Charles Baudot, D. Ristoiu, Lieven Verslegers, S. Joblot, Thierry Pinguet, H. Petiton, B. Orlando, Sebastien Cremer, Nathalie Vulliet, Attila Mekis, Francois Leverd, Frederic Boeuf, Sébastien Jan
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::82d2e90e8918f1a2d13e50b9dbe2fd3d
https://doi.org/10.7567/ssdm.2014.b-7-2
https://doi.org/10.7567/ssdm.2014.b-7-2
A 2.5 GHz low phase noise oscillator design in 65nm CMOS technology with reduced current consumption
A 2.5 GHz low phase noise oscillator is presented in this paper. The oscillator was design using a Solidly Mounted BAW Resonator (SMR BAW) as resonant element. The resonator exhibits a parallel resonance Q factor around 1300 at 2.54 GHz. The core osc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3303840f38a2c37c2442e6c61029f9b2
https://hal.science/hal-00397787
https://hal.science/hal-00397787
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.