Zobrazeno 1 - 10
of 165
pro vyhledávání: '"S. Jiménez-Sandoval"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Jiménez Sandoval, A. Beristain Bautista, Emilia Olivos, Raymundo Arroyave, F. Rodríguez Melgarejo
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 123:403-413
Thin films were grown by sputtering targets made by compressing a mixture of the binary oxides Cu2O, CdO and TeO2. Their properties were studied as a function of the substrate temperature, which was varied from room temperature up to 450 °C. All the
Publikováno v:
Thin Solid Films. 653:143-150
Radio frequency sputtering was used to grow copper telluride films from targets fabricated by cold pressing mixtures of copper and tellurium powders. Through this method, Cu2−xTe targets and films with 0 ≤ x ≤ 1 in nominal composition were elab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. E. Urbina-Alvarez, Yuri V. Vorobiev, Tetyana Torchynska, G. R.Paredes Rubio, S. Jiménez Sandoval, A.I. Diaz Cano
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 39:507-511
The preparation method and characterization data are described for porous SiC layers grown on the surface of porous silicon (P-Si) wires. Raman scattering spectroscopy, energy dispersive spectroscopy (EDS) and atomic force microscopy (AFM) were emplo
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 61:243-246
This paper presents results of the non-contact and non-destructive characterization of porous SiC layers using Raman scattering spectroscopy, scanning electron microscopy as well as atomic force microscopy methods. The comparative study of the Raman
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 352:1152-1155
This paper presents the results of photoluminescence, its temperature dependence and Raman scattering investigations on magnetron co-sputtered silicon oxide films with (or without) embedded Si (or Ge) nanocrystallites. It is shown the oxide related d