Zobrazeno 1 - 10
of 250
pro vyhledávání: '"S. Hillenius"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Nanotechnology Magazine. 1:6-12
SRC has a 25-year history of supporting university research to benefit the semiconductor industry. Current research programs are heavily invested in nanotechnology research to supply solutions to patterning, manufacturing control, and device design p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::176e117a9e1ffac7558330e812e49de9
https://doi.org/10.1109/mnano.2007.912096
https://doi.org/10.1109/mnano.2007.912096
Autor:
M. Kamoshida, S. Hillenius, A. Yokozawa, Krishnan Raghavachari, G. Gilmer, K. Hirose, Akihiko Ishitani
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 77:6345-6349
Accepted: 1995-02-15
資料番号: SA1002026000
資料番号: SA1002026000
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::edea5ded3454c8eb3332c71f8f50554a
https://doi.org/10.1063/1.359105
https://doi.org/10.1063/1.359105
Autor:
S. Hillenius
Publikováno v:
2004 IEEE Workshop on Microelectronics and Electron Devices.
The silicon microelectronic industry has gone through exponential growth in applications, complexity, density, and cost of manufacturing over the last several decades. The challenges in device physics for scaling transistors as well as the design cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3361b0f4eecc9db6a700c91bec9173b8
https://doi.org/10.1109/wmed.2004.1297335
https://doi.org/10.1109/wmed.2004.1297335
Autor:
G. Timp, A. Agarwal, F.H. Baumann, T. Boone, M. Buonanno, R. Cirelli, V. Donnelly, M. Foad, D. Grant, M. Green, H. Gossmann, S. Hillenius, J. Jackson, D. Jacobson, R. Kleiman, A. Komblit, F. Klemens, J.T.-C. Lee, W. Mansfield, S. Moccio, A. Murrell, M. O'Malley, J. Rosamilia, J. Sapjeta, P. Silverman, T. Sorsch, W.W. Tai, D. Tennant, H. Vuong, B. Weir
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
Reports measurements of the DC characteristics of sub-100 nm nMOSFETs that employ low leakage ultra-thin gate oxides only 1-2 nm thick to achieve high current drive capability and transconductance. We demonstrate that I/sub Dsat//spl ap/1.8 mA//spl m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0d3757477c7e205f6a8d694c2056d7da
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650534
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650534
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.