Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"S. Herko"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:490-492
Temperature dependence of saturation velocity in bulk silicon and in surface-accumulation layers was studied between room temperature and 600 K. The saturation electron velocity in bulk silicon was found to have a steeper temperature dependence than
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d0f8b558126a8c3e74ed01f003028fad
https://doi.org/10.1109/55.784462
https://doi.org/10.1109/55.784462
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 70:2259-2261
Zn1−xCdxSe (x≈0.5), a II–VI wide band gap semiconductor, is grown lattice matched by molecular beam epitaxy on (001) InP substrates. The effect of incorporating an InP buffer layer on structural and optical properties of the ZnCdSe films is stu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c6e1f659040fcf11e9f0f8d54f4a526e
https://doi.org/10.1063/1.118832
https://doi.org/10.1063/1.118832
Autor:
Erik Peters, Mark Simpson, S. Herko, R. Aquino, Emil Arnold, Satyendranath Mukherjee, Theodore Letavic, J. Curcio
Publikováno v:
11th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'99 Proceedings (Cat. No.99CH36312).
An integrated 600 V power conversion system is described based on smart power technology which combines novel lateral high-voltage RESURF transistor structures and a merged bipolar/CMOS/DMOS process flow on thin-layer SOI substrates. A new high-volta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f76d4996ebd50c2126d8e70bcfb0e52a
https://doi.org/10.1109/ispsd.1999.764126
https://doi.org/10.1109/ispsd.1999.764126
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 63:2800-2802
Differential van der Pauw–Hall effect and resistivity measurements have been performed to determine the concentration and mobility of free holes in nitrogen doped ZnSe and Zn1−xMgxSySe1−y thin films. Hall data taken between 120 and 300 K, with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4fc9d307f59ce2555c4938c54b27fa6c
https://doi.org/10.1063/1.110339
https://doi.org/10.1063/1.110339
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:541-541
In the above-named work, there were two editorial errors. On p. 491, left column, the first full sentence should read "An application of a substrate bias voltage Vsub provides a desired degree of band bending at the back Si?SiO2 interface." On p. 491
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c7ce6425ac1f4c778cde617fa87935f
https://doi.org/10.1109/led.1999.791936
https://doi.org/10.1109/led.1999.791936
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.