Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"S. Hachad"'
Autor:
S. Hachad, S. Jebbar, A. Oulad Lahsen, R. Bensghir, F. Ihbibane, L. Marih, M. Sodqi, K. Marhoum el Filali
Publikováno v:
Médecine et Maladies Infectieuses Formation. 2:S151-S152
Publikováno v:
Revue des Maladies Respiratoires Actualités. 15:66
Publikováno v:
Proceedings of the Third European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems.
After recalling options selected to harden a 0.6 /spl mu/m CMOS technology against the two major radiation concerns of the space environment, total dose and heavy ion induced latch-up, thus highlighting the dual use approach in place at MATRA MHS, th
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 32:594-598
Latchup in insulated-gate p-n-p-n structures may be due either to the well-known thyristor action or to a regenerative feedback originating from substrate bias in the MOS gate. Simple models are presented to interpret and to predict both latching mod
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.