Zobrazeno 1 - 10
of 108
pro vyhledávání: '"S. Garaud"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexis Franquet, S. Garaud, Guy Vereecke, F. Sinapi, Thierry Conard, Youssef Travaly, I. Hoflijk, Bert Brijs, Chao Zhao, Henny Volders, Zsolt Tokei, Hugo Bender, Chris Drijbooms, Wei-Min Li, D. Vanhaeren, H. Sprey, Alain M. Jonas, Rudy Caluwaerts, L. Carbonell, Alain Moussa
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 84:2460-2465
A ternary WN"xC"y system was deposited in a thermal ALD (atomic layer deposition) reactor from ASM at 300^oC in a process sequence using tungsten hexafluoride (WF"6), triethyl borane (TEB) and ammonia (NH"3) as precursors. The WC"x layers were deposi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Q. Le, M. Kocsis, Anthony Muscat, Sonja Sioncke, L. Hall, David Hellin, Frank Holsteyns, S. Degendt, Twan Bearda, T. Kotani, M.M. Heyns, Atsuro Eitoku, Stephane Malhouitre, S. Garaud, Jim Snow, Guy Vereecke, Sophia Arnauts, Francesca Barbagini, Paul Mertens, M. Frank, K. Kenis, Martine Claes, C. Demaco, Wim Fyen, M. Lux, V. Parachiev, Harald Kraus, Rita Vos, Els Kesters, Kaidong Xu, Kurt Wostyn, K. Kim, Kenichi Sano, B. Onsia, K-t. Lee, Ronald Hoyer, J. Hoeymissen, Jens Rip
Publikováno v:
2006 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications.
This study will review some of the critical aspects of cleaning for sub-65 nm technologies. These issues include: surface preparation for high k dielectrics on Si and on Ge, metal gate cleaning and removal of small particles without creating damage t
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.