Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"S. Ganapathiappan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deirdre L. Olynick, Gun Young Jung, M. Saif Islam, William M. Tong, Xuema Li, S. Ganapathiappan, Douglas A. A. Ohlberg, Hyun-Woo Lee, Wei Wu, R.S. Williams, Yea-Jer Chen, S.Y. Wang
Publikováno v:
Applied Physics A. 81:1331-1335
We summarize our key developments in nanoimprint lithography (NIL) that employs a single layer resist lift-off process: lowering of the imprint temperature (for thermal imprint) and pressure, achieving uniform resist thickness and low residual resist
Autor:
Xuema Li, William M. Tong, R. Stanley Williams, Zhiyong Li, Deirdre L. Olynick, S. Ganapathiappan, Gun Young Jung, Wei Wu, Shih-Yuang Wang
Publikováno v:
Langmuir. 21:6127-6130
Resist detachment from the substrate during mold-substrate separation is one of the key challenges for nanoimprint lithography as the pitch of features decreases. We analyzed the problem by considering the surface and interfacial free energies of the
Autor:
William M. Tong, S. Ganapathiappan, Yulin Chen, Douglas A. A. Ohlberg, R. Stanley Williams, Deirdre L. Olynick, Gun Young Jung
Publikováno v:
Nano Letters. 4:1225-1229
We have developed a single-layer UV-nanoimprint process, which was utilized to fabricate 34 × 34 crossbar circuits with a half-pitch of 50 nm (equivalent to a bit density of 10 Gbit/cm2). This process contains two innovative ideas to overcome challe
Autor:
Xuema Li, Deirdre L. Olynick, Douglas A. A. Ohlberg, Yan-Feng Chen, S. Ganapathiappan, R. S. Williams, William M. Tong, G. Y. Jung
Publikováno v:
Applied Physics A. 78:1169-1173
We have utilized a modified version of thermal nanoimprint lithography to fabricate a rewritable, nonvolatile, molecular memory device with a density of 6.4 Gbit/cm2. It has the advantages of a relatively low operating temperature of (∼70 °C) and
Autor:
T. Wang, R. R. Ford, Mary Alice Schaefer, K. S. Raguveer, M. S. Islam, S. Ganapathiappan, Patty Wisian-Neilson
Publikováno v:
Phosphorus, Sulfur, and Silicon and the Related Elements. 51:165-168
The sequential treatment of [Me(Ph)PN]n with n-BuLi and electrophiles such as substituted chlorosilanes, aldehydes and ketones, and carbon dioxide results in new functionalized polyphosphazenes. Graft copolymers have also been prepared by using the a
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MRS Proceedings. 210
Cryptands and crown ethers increase the cation transport in phosphazene and alkoxyaluminate polyelectrolytes. Vibrational spectroscopy indicates that the increased conductivity originates from reduced ion pairing.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.