Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"S. G. Wuu"'
Autor:
W.P. Mo, S. Takahashi, R.J. Lin, Kuo-Ching Huang, Gene. Hung, C.C. Chuang, Jhy-Jyi Sze, S.Y. Chen, F.J. Shiu, R.L. Lee, Jeng-Shyan Lin, Chung Wang, S. G. Wuu, W.I. Hsu, Chia-Shiung Tsai, Yeur-Luen Tu, D.N. Yaung, H.Y. Cheng, S.J. Tsai, T.H. Hsu, W.H. Wu, Y.P. Chao, S.T. Tsai, Wen-De Wang, Jen-Cheng Liu, Ta-Wei Wang, Chi-Chuan Wang
Publikováno v:
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers.
This paper demonstrates an advanced 1.1um pixel backside illuminated CMOS image sensor with a 3D stacked architecture. The carrier wafer in conventional BSI is replaced by ASIC wafer, which contains a part of periphery circuit and is connected to the
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. F. Ting, T. H. Hsu, W. C. Chiang, J. C. Liu, C. Y. Chen, S. G. Wuu, C. C. Wang, H. Y. Cheng
Publikováno v:
2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA).
A modern CMOS image sensor (CIS) is not only a high-precision, high-dynamic-range, mix-signal electronic device, the system design also requires an integrated consideration on optical imaging function. As pixel size continues to scale down, pixel per
Autor:
H.W. Chin, K. C. Huang, Cormac Michael O'connell, L.C. Tran, T. H. Hsieh, Y. S. Cheng, Chun-Yen Chang, S. G. Wuu, K.C. Tzeng, Chia-Shiung Tsai, C. Y. Shen, Ching-Chun Wang, H. F. Lee, Sreedhar Natarajan, K.C. Tu, C Y. Chen, M. J Wang, H. C. Chu, W. C. Chiang
Publikováno v:
Proceedings of 2011 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications.
A highly manufacturable embedded DRAM technology at 40nm node is presented. This report provides the characterization data of 128Mbit embedded DRAM test vehicle fabricated by 40nm eDRAM 200MHz low power process. The test vehicle is composed of 32 mac
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.