Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"S. Fourtine"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 45:2915-2920
A new approach for SEU rate prediction in components submitted to neutron environment is presented. The method aims to take into account the characteristics of the secondary particles in terms of electrical effect. So, in addition to the critical ene
Autor:
S. Fourtine, J.-M. Palau, C. Vial, O. Bersillon, M.-C. Calvet, J. Gasiot, J. P. Nadai, D. Roth
Publikováno v:
RADECS 97. Fourth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Cat. No.97TH8294).
Comparison between HETC and COSMIC codes shows that COSMIC code, although being a protons-silicon interaction code, can be used to calculate the energy deposited by high energy neutrons in silicon.
Publikováno v:
RADECS 97. Fourth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Cat. No.97TH8294).
This paper presents the results from in-flight measurements of single event upsets (SEU) in static random access memories (SRAM) caused by the atmospheric radiation environment at aircraft altitudes. The memory devices were carried on commercial airl
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 48 (6), pp.1953-1959. ⟨10.1109/23.983156⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, 48 (6), pp.1953-1959. ⟨10.1109/23.983156⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 48 (6), pp.1953-1959. ⟨10.1109/23.983156⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, 48 (6), pp.1953-1959. ⟨10.1109/23.983156⟩
A new method of neutron soft error rate calculation derived from device simulations and nuclear physics results is presented. The main inputs are only a critical linear energy transfer, a critical charge, and layout dimensions. No classical sensitive
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3c46430c62c6ebed65abd56e604c5312
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02025081
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02025081
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 48 (2), pp.225-231. ⟨10.1109/23.915368⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, 48 (2), pp.225-231. ⟨10.1109/23.915368⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 48 (2), pp.225-231. ⟨10.1109/23.915368⟩
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, 48 (2), pp.225-231. ⟨10.1109/23.915368⟩
Single-event upsets (SEUs) in static random access memories (SRAMs) are investigated using three-dimensional (3-D) full cell device simulations for tracks that do not cross the OFF n-channel MOSFET drain. These tracks are representative of the most p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6fcc60d4b2e8b09533e5823556cbdcee
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02024841
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02024841
Publikováno v:
Electronics Letters. 24:537
The letter reports short wavelength emission (7205 AA) from MBE AlGaAs GRINSCH single quantum well lasers. Visible emission is obtained with a 60 AA AlGaAs well containing approximately=18% aluminium and both design optimisation and growth conditions
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.