Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"S. Finsterbusch"'
Autor:
R Liebmann, L Bauch, Z Stavreva, H Neef M.Junack, A Klipp, M Nichterwitz, A Hausmann, Albrecht Kieslich, Detlef Weber, N Kallis, Hoehnsdorf Falko, J Herrmann, S Finsterbusch
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 41:1081-1083
The impact of introducing a low k dielectric for gap fill into standard process flow of AlCu RIE metallization with SiO2 ILD is described. The low k material is a carbon-doped silicon oxide deposited by CVD. Standard oxide treatment is used for furth
Autor:
Matthias Goldbach, B. Uhlig, Erhard Landgraf, G. Ilicali, M. Stadele, Jorg Radecker, J. Lindolf, S. Finsterbusch
Publikováno v:
2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
Based on a detailed I-V analysis, 2D/3D process/device simulation, and inline wafer bow measurements, we have investigated a number of stress-induced layout effects on MOSFET performance caused by hybrid STI fills (HARP/HDP and SOG/HDP). Variations o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.