Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"S. Finco"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.C.V. Bôas, S.G. Alberton, M.A.A. de Melo, R.B.B. Santos, R.C. Giacomini, N.H. Medina, L.E. Seixas, S. Finco, F.R. Palomo, M. A. Guazzelli
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 2340:012045
Gallium nitride commercial transistors (GaN FET) are great candidates as power devices tolerant to the effects of Total ionizing dose (TID). Therefore, we have evaluated its robustness by analysing parameters in its characteristic parameters. Devices
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::886d097bbfe7a5568cb45079c6655468
https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045
https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexis C. Vilas Boas, M. A. A. de Melo, R. B. B. Santos, R. Giacomini, N. H. Medina, L. E. Seixas, S. Finco, F. R Palomo, A. Romero-Maestro, Marcilei A. Guazzelli
Publikováno v:
2019 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cdce2e173819fb313b38c5b2cc0c5774
https://doi.org/10.1109/radecs47380.2019.9745697
https://doi.org/10.1109/radecs47380.2019.9745697
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. C. V., Bôas, S. G., Alberton, N. H., Medina, V. A. P., Aguiar, M. A. A., Melo, R. B. B., Santos, R. C., Giacomini, T. C., Cavalcante, R. G., Vaz, E. C. F. P., Junior, L. E., Seixas, S., Finco, M. A., Guazzelli
Publikováno v:
Journal of Integrated Circuits & Systems; 2021, Vol. 16 Issue 3, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. F. Ponchet, E. M. Bastida, C. A. Finardi, R. R. Panepucci, S. Tenenbaum, S. Finco, J. W. Swart
Publikováno v:
2016 29th Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3d75766320f68a545ae0c56fc409c41
https://doi.org/10.1109/sbcci.2016.7724067
https://doi.org/10.1109/sbcci.2016.7724067