Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"S. Eftychis"'
Autor:
Katerina Tsagaraki, Th. Kehagias, T. Koukoula, S. Eftychis, Alexandros Georgakilas, Ph. Komninou, J. Kruse
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 514:89-97
The effects of ultrathin AlN prelayers, with nominal thicknesses between 0 and 1.5 nm, on the spontaneous growth of GaN nanowires (NWs) on Si (1 1 1) substrates were investigated. The morphological and structural characteristics of GaN NWs were analy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2d00b58ef8e718d276c08f544682799
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.004
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.004
Autor:
J. Kruse, Th-H. Kehagias, S. Eftychis, Eleftherios Iliopoulos, A. Adikimenakis, Alexandros Georgakilas, Ph-H. Komninou, Maria Androulidaki, P. Tzanetakis, Katerina Tsagaraki, T. Koukoula
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 442:8-13
The effects of an amorphous interfacial silicon nitride (SiXNY) layer on the morphology, structure and optoelectronic properties of GaN nanowires (NWs), grown on Si (111) substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy, have been investigated. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3cdeb66ea45d2fecd64fdf8e3e21bf5
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.02.028
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.02.028
Autor:
S. Eftychis, J. Kruse, Panagiotis Dimitrakis, G. Doundoulakis, Alexandros Georgakilas, Liverios Lymperakis, G. Konstantinidis, Ph. Komninou, Th. Kehagias, A. Olziersky, Vassilios Ioannou-Sougleridis, Pascal Normand, Maria Androulidaki, Katerina Tsagaraki, T. Koukoula, A. Adikimenakis
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 119:224305
We analyze a method to selectively grow straight, vertical gallium nitride nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) at sites specified by a silicon oxide mask, which is thermally grown on silicon (111) substrates and patterned by ele
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2842e4d2cd6df5660d5f33baa713c8db
https://doi.org/10.1063/1.4953594
https://doi.org/10.1063/1.4953594
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.