Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"S. Ebschke"'
Publikováno v:
Journal of Nano Research. 25:49-54
Based on silicon on insulator (SOI) technology [, a monocrystalline membrane is fabricated, in which a buried silicon dioxide layer in the silicon material is the sacrifice layer for the cavity. The membrane is a monocrystalline silicon top layer whi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc5f64706fcae9b0973d2651fce40591
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.25.49
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.25.49
Publikováno v:
IEEE SENSORS 2014 Proceedings.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dae79851345cccd8366ec5d4c0a9137f
https://doi.org/10.1109/icsens.2014.6985259
https://doi.org/10.1109/icsens.2014.6985259
Publikováno v:
14th IEEE International Conference on Nanotechnology.
By the use of novel techniques like Silicon-on-insulator (SOI) wafer and electron beam lithography (EBL), the development of new types of NEMS-sensors, like a nanoscale Thermal-Time-of-Flight (TToF) sensor, are possible. While scaling the dimensions
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51916018d79586a9418763e1f65a7614
https://doi.org/10.1109/nano.2014.6968033
https://doi.org/10.1109/nano.2014.6968033
Publikováno v:
2013 IEEE SENSORS.
Based on silicon on insulator (SOI) technology, a novel absolute pressure sensor with a pseudo-MOSFET read-out is designed and fabricated, in which a buried silicon dioxide layer in the silicon material is the sacrifice layer for the cavity. The memb
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d55c3d772f5b54554eb69d2f26f097f0
https://doi.org/10.1109/icsens.2013.6688458
https://doi.org/10.1109/icsens.2013.6688458
Publikováno v:
2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO 2013).
An experimental research on a novelty method of creating monocrystalline Silicon-membranes by using nanoholes is shown in this paper. A Silicon-on-insulator (SOI) wafer is used as a substrate, whose buried oxide (BOX) demonstrates the sacrificial lay
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6bb988b9211ce2cb16dd0a2bbc35d78e
https://doi.org/10.1109/nano.2013.6720903
https://doi.org/10.1109/nano.2013.6720903
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.