Zobrazeno 1 - 10 of 74 pro vyhledávání: '"S. Dunand"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Testing of planar hydrogenated amorphous silicon sensors with charge selective contacts for the construction of 3D-detectors
Autor: M. Menichelli, M. Bizzarri, M. Boscardin, M. Caprai, A.P. Caricato, G.A.P. Cirrone, M. Crivellari, I. Cupparo, G. Cuttone, S. Dunand, L. Fanò, O. Hammad, M. Ionica, K. Kanxheri, M. Large, G. Maruccio, A.G. Monteduro, A. Morozzi, F. Moscatelli, A. Papi, D. Passeri, M. Petasecca, G. Petringa, G. Quarta, S. Rizzato, A. Rossi, G. Rossi, A. Scorzoni, L. Servoli, C. Talamonti, G. Verzellesi, N. Wyrsch
Publikováno v: Journal of instrumentation 17 (2022). doi:10.1088/1748-0221/17/03/C03033
info:cnr-pdr/source/autori:Menichelli, M.; Bizzarri, M.; Boscardin, M.; Caprai, M.; Caricato, A. P.; Cirrone, G. A.P.; Crivellari, M.; Cupparo, I.; Cuttone, G.; Dunand, S.; Fanò, L.; Hammad, O.; Ionica, M.; Kanxheri, K.; Large, M.; Maruccio, G.; Monteduro, A. G.; Morozzi, A.; Moscatelli, F.; Papi, A.; Passeri, D.; Petasecca, M.; Petringa, G.; Quarta, G.; Rizzato, S.; Rossi, A.; Rossi, G.; Scorzoni, A.; Servoli, L.; Talamonti, C.; Verzellesi, G.; Wyrsch, N./titolo:Testing of planar hydrogenated amorphous silicon sensors with charge selective contacts for the construction of 3D-detectors/doi:10.1088%2F1748-0221%2F17%2F03%2FC03033/rivista:Journal of instrumentation/anno:2022/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:17
Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) is a material well known for its intrinsic radiation hardness and is primarily utilized in solar cells as well as for particle detection and dosimetry. Planar p-i-n diode detectors are fabricated entirely by me
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bfceddc3a578543d7aefe44e3cdfc145
https://publications.cnr.it/doc/467347
Zobrazit plný text záznamu
7
Fabrication of a Hydrogenated Amorphous Silicon Detector in 3-D Geometry and Preliminary Test on Planar Prototypes
Autor: Livio Fanò, Arianna Morozzi, Anna Grazia Monteduro, Cinzia Talamonti, Giovanni Verzellesi, Andrea Scorzoni, Maria Ionica, Giuseppe Maruccio, Matthew Large, Ilaria Cupparo, Leonello Servoli, Marco Petasecca, M. Menichelli, M. Bizzarri, Omar Ali Hammad, Nicolas Wyrsch, Michele Crivellari, P. Cirrone, Anna Paola Caricato, Daniele Passeri, Maurizio Boscardin, A. Rossi, S Dunand, Giacomo Cuttone, Silvia Rizzato, M. Caprai, A. Papi, Keida Kanxheri, Francesco Moscatelli
Publikováno v: Instruments, Vol 5, Iss 32, p 32 (2021)
Instruments 5 (2021). doi:10.3390/instruments5040032
info:cnr-pdr/source/autori:Menichelli, Mauro; Bizzarri, Marco; Boscardin, Maurizio; Caprai, Mirco; Caricato, Anna Paola; Cirrone, Giuseppe Antonio Pablo; Crivellari, Michele; Cupparo, Ilaria; Cuttone, Giacomo; Dunand, Silvain; Fanò, Livio; Alì, Omar Hammad; Ionica, Maria; Kanxheri, Keida; Large, Matthew; Maruccio, Giuseppe; Monteduro, Anna Grazia; Moscatelli, Francesco; Morozzi, Arianna; Papi, Andrea; Passeri, Daniele; Petasecca, Marco; Rizzato, Silvia; Rossi, Alessandro; Scorzoni, Andrea; Servoli, Leonello; Talamonti, Cinzia; Verzellesi, Giovanni; Wyrsch, Nicolas/titolo:Fabrication of a hydrogenated amorphous silicon detector in 3-d geometry and preliminary test on planar prototypes/doi:10.3390%2Finstruments5040032/rivista:Instruments/anno:2021/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:5
Instruments
Volume 5
Issue 4
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) can be produced by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of SiH4 (silane) mixed with hydrogen. The resulting material shows outstanding radiation hardness properties and can be deposited on a wide v
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2c76b67780d5c15c5d57568609b317b8
https://www.mdpi.com/2410-390X/5/4/32
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Hydrogenated amorphous silicon detectors for particle detection, beam flux monitoring and dosimetry in high-dose radiation environment
Autor: Giovanni Verzellesi, L. Fanò, Leonello Servoli, Daniele Passeri, S Dunand, Nicolas Wyrsch, Michele Crivellari, M. Menichelli, Francesco Moscatelli, Jeremy A Davis, Arianna Morozzi, Maria Movileanu-Ionica, Marco Petasecca, Andrea Scorzoni, A. Rossi, Maurizio Boscardin, Mauro Piccini
Publikováno v: Journal of instrumentation 15 (2020). doi:10.1088/1748-0221/15/04/C04005
info:cnr-pdr/source/autori:Menichelli M.; Boscardin M.; Crivellari M.; Davis J.; Dunand S.; Fano L.; Morozzi A.; Moscatelli F.; Movileanu-Ionica M.; Passeri D.; Petasecca M.; Piccini M.; Rossi A.; Scorzoni A.; Servoli L.; Verzellesi G.; Wyrsch N./titolo:Hydrogenated amorphous silicon detectors for particle detection, beam flux monitoring and dosimetry in high-dose radiation environment/doi:10.1088%2F1748-0221%2F15%2F04%2FC04005/rivista:Journal of instrumentation/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:15
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) has remarkable radiation resistance properties and can be deposited on a lot of different substrates. A-Si:H based particle detectors have been built since mid 1980s as planar p-i-n or Schottky diode structures
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8430f5b49f83e9d60a9537203c6873a
http://arxiv.org/abs/2002.10848
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje