Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"S. Dremlyuzhenko"'
Publikováno v:
Метрологія та прилади, Iss 2, Pp 35-39 (2017)
Established design and technology Schottky photodiodes based on single crystal substrates n-In2Hg3Te6 with barrier layer of chromium 100 mm2. Photodiode recommended for use as a working standard calibration with similar photodiodes with increased rad
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/06dd2ffc66454c7f8a3658831958a12b
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 500:117-121
The temperature dependences of electrical characteristics (conductivity σ, the Hall constant RH, and carrier mobility μ) were studied in n-Cd1−xMnxTe:In (x = 0.05; 0.1) crystals grown by the Bridgman method. Reproducibility of electrical characte
Autor:
S.G. Dremlyuzhenko, S. I. Budzulyak, V.Z. Tsalyi, І.М. Yuriychuk, O. A. Kapush, A.Y. Gudimenko, K. S. Dremlyuzhenko, S. D. Boruk, V.P. Kladko
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 18, Iss 3, Pp 338-341 (2018)
Physical and chemical properties of highly dispersed systems on the base of metallic (cadmium, tellurium) and semiconductor materials (cadmium telluride) obtained by the plasma-electrochemical method are studied. It is shown that obtained systems con
Autor:
A. I. Yemets, О. G. Kosinov, O. A. Kapush, D. V. Korbutyak, K. S. Dremlyuzhenko, S. I. Budzulyak, B. N. Kulchitsky
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 10:04009-1
Publikováno v:
physica status solidi (b). 244:1650-1654
The effects of treatment in several etchants on CdTe, Cd 1-x Mn x Te, Cd 1-x Zn x Te surface stoichiometry are studied. Simple chemical etching of CdTe, Cd 1-x Mn x Te, Cd 1-x Zn x Te causes a relief and contamination of near-surface layer with etcha
Autor:
S. Dremlyuzhenko, P. M. Fochuk, Anatolii Serhiiovych Opanasiuk, O. Kopach, S. Solodin, Z. I. Zakharuk, B. Rudyk, E. S. Nykonyuk
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 9:06004-1
To purify Cd0,95Mn0,05Te ingots a modified travelling heater method (called «dry zone») was applied. Even one pass of the zone decreased essentially Te inclusions (size and density) in the ingot. The p-type conductivity and others electrical charac
Autor:
P. M. Fochuk, S. Dremlyuzhenko, O. Kopach, E. S. Nykonyuk, A. S. Opanasyuk, S. Solodin, Z. I. Zakharuk
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 8:04011-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.