Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"S. Despotopoulos"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Neurological Sciences. 379:293-295
Publikováno v:
EP Europace. 20:i210-i210
Autor:
S. Despotopoulos, Nicolas-Alexander Tatlas, D. Nicolaidis, Stelios M. Potirakis, Maria Rangoussi, Stelios A. Mitilineos
Publikováno v:
Audio Mostly Conference
Monitoring areas of environmental interest by employing a wireless acoustic sensor network has been recently investigated. Although feature-rich sensor solutions have surfaced, the requirements for a flexible node from a networking and processing seg
Autor:
K. Michelakis, S. Despotopoulos, A. Vilches, Kristel Fobelets, Christos Papavassiliou, Chris Toumazou
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 49:591-594
The authors present the first to their knowledge monolithic inverting current mirror fabricated on heterostructure Si/SiGe technology, using buried silicon channel depletion-mode MOSFET transistors. Characterisation results both at DC and at high fre
Autor:
A. Vilches, U. Konig, K. Michelakis, S. Despotopoulos, Thomas Hackbarth, Christos Papavassiliou, Kristel Fobelets
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. 51:1100-1105
The recently published small-signal KAIST model is used successfully to fit the measured RF characteristics of a novel SiGe n-HMODFET device operating at micropower levels and extracted small-signal model parameters for this device under micropower o
Autor:
Kristel Fobelets, C. Papavassilliou, S. Despotopoulos, K. Michelakis, V. Gaspari, J.E. Velazquez-Perez, R. Ferguson
Publikováno v:
Applied Surface Science. 224:390-393
An investigation of the low-temperature operation of a 0.5 μm-gate Si:SiGe depletion-mode n-type modulation-doped field-effect transistor is presented. The investigated temperatures range from T = 300 to 180 K. The benefits of cryogenic operation ar
Autor:
Chris Toumazou, Jing Zhang, S. Despotopoulos, Christos Papavassiliou, A. Vilches, V. Gaspari, Kristel Fobelets, K. Michelakis
Publikováno v:
Applied Surface Science. 224:386-389
Silicon-germanium (SiGe) heterojunction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SiGe HMOSFETs) have been successfully fabricated on Si substrate. The semiconductor heterostructure, which was grown by gas-source molecular beam epitaxy (GS-
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.