Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"S. Darwin"'
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 8, Iss , Pp 100530- (2024)
Cross-linked polyethylene (XLPE) power cables are commonly used in flexible DC transmission applications. The diagnosis of the defects of XLPE power cable has consistently been a focal point of research as it is an essential equipment for power deliv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e02fe117d0664ebf9ad046b550e16875
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chelliah, D. Abiya, Cynthia, P., Selson, S. Paul David, Sheela, P. Jeya, Amutha, M., Jebaraj, J. Winfred, Edison, S. Darwin Paul, Muthuvel, S., Gnanasangeetha, D., Anushya, M.
Publikováno v:
ChemistrySelect; Oct2024, Vol. 9 Issue 37, p1-13, 13p
Publikováno v:
International Journal on Interactive Design and Manufacturing (IJIDeM). 17:1277-1288
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b8383e464e7cf0210302072eca46ec8
https://doi.org/10.1007/s12008-022-01119-1
https://doi.org/10.1007/s12008-022-01119-1
Publikováno v:
Silicon. 14:12823-12835
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf8844e5f75670ed670880e082e4e7d3
https://doi.org/10.1007/s12633-022-01976-1
https://doi.org/10.1007/s12633-022-01976-1
Publikováno v:
Advances in Computer and Electrical Engineering ISBN: 9781668449745
The rapid advancement of integrated circuit (IC) technology in the recent decades paved the path for miniaturization of electronic devices. Nowadays all the handheld devices are battery operated, which moves the researchers to develop the devices wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77bb2670086b58f7efc825342d042116
https://doi.org/10.4018/978-1-6684-4974-5.ch005
https://doi.org/10.4018/978-1-6684-4974-5.ch005
Publikováno v:
Silicon. 14:2647-2654
The amalgamation of high dielectric permittivity material along with vaccum based dual material junctionless transistor with surrounding gate (DUM-HIK-VAC-JLSG-MOSFET) was investigated in this paper. The diverse oxide gate stack architecture of DUM-H
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7440673f352de5999fc807a0716fa539
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01029-z
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01029-z
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.