Zobrazeno 1 - 10
of 138
pro vyhledávání: '"S. D. Kwon"'
Autor:
H. Fukutome, K. Suh, W. Kim, Y. Moriyama, S. Kang, B. Eom, J. Kim, C. Yoon, W. Kwon, Y. Chung, Y. Nam, Y. Kim, S. Park, J. Park, H. -J. Cho, K. Rim, S. D. Kwon
Publikováno v:
2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Heon-Soo Lee, Dongwoo Lee, MinSeong Kim, SangHyuck Ha, Sukhwan Lim Inyup Kang, Jun-Seok Park, S. D. Kwon, Jewoo Moon, Junghun Park, Jihoon Bang
Publikováno v:
HCS
NPU Scheduler Tiling memory transactions between internal memories and external memories Communicating with AP Host and other processing units
Autor:
Dongyoung Kim, Yeongjae Choi, Myeong Woo Kim, Channoh Kim, Hyunsun Park, Ali Shafiee Ardestani, Changkyu Choi, Lee Sehwan, Heon-Soo Lee, Hamzah Abdel-Aziz, SukHwan Lim, Heewoo Nam, Yoo Jin Kim, Dongguen Lim, S. D. Kwon, Joseph H. Hassoun, Dongwoo Lee, Hyeong-Seok Yu, Jun-Seok Park, Seung-Won Lee, Hanwoong Jung, Jang Junwoo, Joon-Ho Song
Publikováno v:
ISCA
Of late, deep neural networks have become ubiquitous in mobile applications. As mobile devices generally require immediate response while maintaining user privacy, the demand for on-device machine learning technology is on the increase. Nevertheless,
Autor:
Heon-Soo Lee, Lee Sehwan, Kyungah Jeong, Joon-Ho Song, Hanwoong Jung, S. D. Kwon, Inyup Kang, Dongwoo Lee, Jun-Seok Park, Jang Junwoo, SukHwan Lim, Seungwon Lee
Publikováno v:
ISSCC
On-device machine learning is critical for mobile products as it enables real-time applications (e.g. AI-powered camera applications), which need to be responsive, always available (i.e. do not require network connectivity) and privacy preserving. Th
Autor:
Jaehong Park, Taejung Lee, Woojin Rim, Geum-Jong Bae, Hoonki Kim, Taeyeong Kim, Jong-Hoon Jung, Dong-Won Kim, S. D. Kwon, Hakchul Jung, Hyung-Tae Kim, Taejoong Song, Soon-Moon Jung, Sanghoon Baek, Keun Hwi Cho, Jongwook Kye
Publikováno v:
ISSCC
Advanced technologies help to improve SRAM performance via recent transistor breakthroughs [1], which allow SRAM designers to focus on handling metal resistance by alleviating device performance impediments. Since SRAM margins are more vulnerable to
Autor:
Yuri Y. Masuoka, Taiko Yamaguchi, Seung Kwon Kim, S. D. Kwon, So Youn Kim, Jae Chul Kim, Byung-Gook Park
Publikováno v:
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology.
In this paper, key contributors to local variability of sub-7nm FinFET has been identified in various operating environments. Through a comprehensive analysis, different root-cause for high and low temperature region have been revealed and confirmed
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. D. Kwon, H. S. Lee
Publikováno v:
Journal of The Korean Society For Urban Railway. 5:873-883